以电镀法制备高频覆晶封装用锡.pdfVIP

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2019-12-01 发布于天津
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以电镀法制备高频覆晶封装用锡.pdf

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國立交通大學材料科學與工程學系碩士論文以電鍍法製備高頻覆晶封裝用錫-銅击塊之研究 Preparation of Sn-Cu Bump for High-frequency Flip-chip Bonding Utilizing Electroplating Process 研究生：王炯鑫指導教授：謝宗雍博士中華民國 96 年10月 1 以電鍍法製備高頻覆晶封裝用錫 -銅击塊之研究 Preparation of Sn-Cu Bump for High-frequency Flip-chip Bonding Utilizing Electroplating Process 研究生：王炯鑫 Student ：Chon-Hsin Wang 指導教授：謝宗雍博士 Advisor ：Dr. Tsung-Eong Hsieh 國立交通大學材料科學與工程學系碩士論文 A Thesis Submitted to Institute of Materials Science and Engineering Collage of Engineering National Chiao Tung University in Partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of Master of Science in Materials Science and Engineering Hsinchu, Taiwan, Republic of China 中華民國 96 年10月 2 以電鍍法製備高頻覆晶封裝用錫-銅击塊之研究學生：王炯鑫指導教授：謝宗雍博士國立交通大學材料科學與工程學系摘要本研究藉由不同條件的電鍍製程製備符合高頻砷化鎵（ GaAs ）元件覆晶封裝用高 50 m 、直徑50 m的錫 -銅接合击塊，電鍍實驗條件概分為定電流、定電壓和脈衝電壓，完成之击塊並以掃描式電子顯微鏡（Scanning Electron Microscopy ，SEM ）與觀察其內部微觀結構及以推力測試分析击塊接合強度。定電流實驗之結果顯示以電流密度 0.5ASD～1ASD範圍執行電鍍，不論是否有加入添加劑PEG200 ，皆可獲得緻密性良好的击塊；在定電壓實驗中，加入添加劑 PEG200確實可以改善击塊內部的緻密性，這是因為電流值會上升使鍍率升快，增加孔洞的生成，而PEG200能抑制抑制還原反應、減緩沉積速率；另外發現脈衝電壓法因鍍率太慢，不適合用來製備深孔電鍍。能量分散譜儀（ Energy Dispersive Spectroscop