微细加工与MEMS技术光刻胶.pptVIP

习 题 1、某种光刻胶的 D0 = 40mJ/cm2，D100 = 85mJ/cm2，试计算这种光刻胶的对比度与 CMTF。当这种光刻胶的厚度减薄一半时，其 D100 减到 70mJ/cm2，而 D0 则不变，这时其对比度变为多少？ 2、设某电子束光刻胶的灵敏度 S = 0.3 ?C/cm2 ，这意味着在( 0.01 ?m )2 的面积上只需多少个电子照射？在 ( Wmin )2 的面积上又需多少个电子照射？这个结果对提高光刻胶的灵敏度和曝光效率有什么指导意义？ * * * 保留下来的光刻胶在曝光前已被硬化，将留在硅片表面，作为后步艺(如刻蚀)的保护层.在接下来的[艺结束后光刻胶就被除去二在20世纪70年代，正性光Rfl胶成为亚微米微光刻的主流光刻胶，并延续至今 * * * 负性光刻的基本特征是当曝光后，光刻胶会因交联而变得不可溶解，并会硬化。一旦硬化，交联的光刻胶就不能在溶剂中被洗掉，所以这种光刻胶被称为负性光刻胶。因为光刻胶上的图形与投影掩膜版上的图像相反(见图1)。负性光刻胶是最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶。。 * * * 转移到光刻胶上的图形可以被看成是窗口或岛: * * * 另一种描述掩膜版的方法是根据它们的表面外观。如果有一个:比较正性光刻和负性光刻所用的掩膜版，如果一个用正性光刻胶的特定掩膜层需要用亮场掩膜版，那么具有相同图形的暗场掩膜版就被用于负性光刻胶。 用正性光刻作为例子。一些通常的暗场掩膜版被用于源漏注人、接触孔.刻蚀一艺之前二亮场掩膜版应用于栅刻蚀和金属互连刻蚀工艺之前_图1}.说明了基于正性光刻胶光刻」二艺的两种掩膜}饭的例子. Microelectronic Fabrication MEMS Technology * 第 8 章 光刻胶 一、光刻胶的类型 凡是在能量束（光束、电子束、离子束等）的照射下，以交联反应为主的光刻胶称为 负性光刻胶，简称 负胶。 凡是在能量束（光束、电子束、离子束等）的照射下，以降解反应为主的光刻胶称为 正性光刻胶，简称 正胶。 8.1 光刻胶的类型 光刻胶也称为 光致抗蚀剂（Photoresist，P. R.）。 1、灵敏度 灵敏度的定义 单位面积上入射的使光刻胶全部发生反应的最小光能量或最小电荷量（对电子束胶），称为光刻胶的灵敏度，记为 S ，也就是前面提到过的 D100 。S 越小，则灵敏度越高。 通常负胶的灵敏度高于正胶。 灵敏度太低会影响生产效率，所以通常希望光刻胶有较高的灵敏度。但灵敏度太高会影响分辨率。 8.2 光刻胶的特性 灵敏度曲线（对比度曲线） 1.0 0.5 0 D0 入射剂量（C/cm2） 未反应的归一化膜厚 D100 2、分辨率 下面讨论分辨率与灵敏度的关系。当入射电子数为 N 时， 由于随机涨落，实际入射的电子数在 范围内。为保证 出现最低剂量时不少于规定剂量的 90%，也即 。 由此可得 。因此对于小尺寸曝光区，必须满足 光刻工艺中影响分辨率的因素有：光源、曝光方式 和 光刻胶本身（包括灵敏度、对比度、颗粒的大小、显影时的溶胀、电子散射等）。通常正胶的分辨率要高于负胶。 式中，Wmin 为最小尺寸，即分辨率。可见，若灵敏度越高（即 S 越小），则 Wmin 就越大，分辨率就越差。 例如，负性电子束光刻胶 COP 的 S = 0.3×10-6 C/cm2，则其 Wmin = 0.073 ?m 。若其灵敏度提高到 S = 0.03×10-6 C/cm2 ，则其 Wmin 将增大到 0.23 ?m 。 3、对比度 对比度是上图中对数坐标下曲线的斜率，表示光刻胶区分掩模上亮区和暗区的能力的大小，即对剂量变化的敏感程度。 D0 D100 对比度的定义为 Dcr D100 D0 灵敏度曲线越陡，D0 与 D100 的间距就越小，则光刻胶的对比度 就越大，这样有助于得到清晰的图形轮廓和高的分辨率。一般光刻胶的对比度在 0.9 ~ 2.0 之间。对于亚微米图形，要求对比度大于 1。 通常正胶的对比度要高于负胶。 D0 D100 光进入光刻胶后，其强度按下式衰减 式中，α为光刻胶的光吸收系数。设 TR 为光刻胶的厚度，则可定义光刻胶的 光吸收率