二次渗滤现象对镍基导电硅橡胶屏蔽性能的影响.pdf

维普资讯 第 54卷 第 7期 2005年7月 物 理 学 报 Vo1．54，No．7，July，2005 1000—329O／20o5／54(07)／3332-05 ACTA PHYSiCA SINICA ⑥2005Chin．Phys．Soc． 二次渗滤现象对镍基导电硅橡胶屏蔽性能的影响* 李 鹏 刘顺华 陈光昀 (大连理工大学材料科学与工程系，大连 116023) (2004年9月 10日收到；2004年 12月9日收到修改稿) 通过对镍粉填充 RTV硅橡胶的电阻率的测量确定 了镍基导 电硅橡胶的渗滤值点．在此基础上添加不 同含量 的炭黑，发现了有别于单一导电填料填充两相体系的渗滤值规律，即二次渗滤现象．根据导电机理模型推测了二 次渗滤现象产生的原因，并对实验结果进行了拟合 ．同时针对高导电硅橡胶的屏蔽性能．发现可用 Schelkunoff理论