半导体物理2013(第三章).pptVIP

第3章 半导体中载流子的统计分布; 完整的半导体中电子的能级构成能带，有杂质和缺陷的半导体在禁带中存在局部化的能级． 实践证明：半导体的导电性强烈地随着温度及其内部杂质含量变化，主要是由于半导体中载流子数目随着温度和杂质含量变化． 本章重点讨论： 1、热平衡情况下载流子在各种能级上的分布情况 2、计算导带电子和价带空穴的数目，分析它们与半导体中杂质含量和温度的关系．;§3.1 状态密度;3.1.1 k空间中量子态的分布;K空间中的量子态分布图;计算不同半导体的状态密度 ①导带底E(k)与k的关系（单极值，球形等能面） 把能量函数看做是连续的,则能量E～E+dE之间包含的k空间体积为4πk·dk,所以包含的量子态总数为 其中;3.1.2 状态密度;②对于各向异性，等能面为椭球面的情况 设导带底共有s个对称椭球，导带底附近状态密度为： 对硅、锗等半导体，其中的 mdn称为导带底电子状态密度有效质量。 对于Si，导带底有六个对称状态，s=6，mdn =1.08m0 对于Ge，s=4，mdn =0.56m0;同理可得价带顶附近的情况 价带顶附近E(k)与k关系 价带顶附近状态密度也可以写为： 但对硅、锗这样的半导体，价带是多个能带简并的，相应的有重和轻两种空穴有效质量，所以公式中的mp*需要变化为一种新的形式。;对硅和锗，式中的 mdp称为价带顶空穴状态密度有效质量 对于Si，mdp=0.59m0 对于Ge，mdp=0.37m0 ;3.2 费米能级和载流子的统计分布3.2.1 导出费米分布函数的条件;3.2.2 费米分布函数和费米能级;⒉ EF的确定 ⑴. 在整个能量范围内所有量子态被电子占据的量子态数等于实际存在的电子总数N,则有;(2)EF的实质和物理意义 费米能级EF是半导体中大量电子构成的热力学系统的化学势。; 逐渐减小,而空着的几率 则逐渐增大，即电子优先占据能量较低的能级。 ; EF实际上是一个参考能级,低于EF的能级被电子占据的几率大于空着的几率;高于EF的量子态,被电子占据的几率则小于空着的几率.;⑵当T=0K时, ;⑶ E-EFkT时,;⑷ EF-EkT时,;非简并半导体和简并半导体 非简并半导体：指导带电子或价带空穴数量少???载流子在能级上的分布可以用玻耳兹曼分布描述的半导体，其特征是费米能级EF处于禁带之中，并且远离导带底Ec和价带顶Ev。 简并半导体：是指导带电子或价带空穴数量很多，载流子在能级上的分布只能用费米分布来描述的半导体，其特征是EF接近于Ec或Ev，或者EF进入导带或价带之中。; 为了计算单位体积中导带电子和价带空穴的数目,即半导体的载流子浓度,必须先解决下述两个问题: A.能带中能容纳载流子的量子态数目（由状态密度给出）; B.载流子占据这些状态的概率（即分布函数）.;1、非简并半导体的导带电子浓度n0;引入变数;若令;2、非简并半导体的价带空穴浓度p0; 导带和价带有效状态密度是很重要的量,根据它可以衡量能带中量子态的填充情况.如:nNC，就表示导带中电子数目稀少.把有效状态密度中的常数值代入后,则有:; 对于三种主要的半导体材料,在室温(300K)情况下,它们的有效状态密度的数值列于下表中。;3、载流子浓度的乘积n0p0;练习: 两块n型半导体硅材料，在某一温度T时，第一块与第二块的电子密度之比为n1:n2=e。 ⑴如果第一块材料的费米能级在导带底之下3k0T，试求出第二块材料中费米能级的位置； ⑵求出两块材料中空穴密度之比p1:p2。;3.3 本征半导体的载流子浓度;3.3 本征半导体的载流子浓度;3.3 本征半导体的载流子浓度;3.3 本征半导体的载流子浓度;3.3 本征半导体的载流子浓度;3.3 本征半导体的载流子浓度;已学过的两套求解载流子浓度的公式：;3.4 杂质半导体的载流子浓度;3.4.1 杂质能级的占据几率;杂质能级上电子和空穴的占据几率：;受主能级被空穴占据即受主未电离几率fA(E); ⑶ 施主能级上的电子浓度nD为; ⑷ 受主能级上的空穴浓度pA为;3.4 杂质半导体的载流子浓度3.4.2 n型半导体的载流子浓度; 杂质电离和本征激发是发生在不同的温度范围.在低温下，主要是电子由施主能级激发到导带的杂质电离过程.只有在足够高的温度下,本征激发才成为载流子的主要来源.; ⑴ 低温弱电离（温度很低时T数K，只有很少量施主杂质发生电离，这少量的电子进入导带，这种情况称为弱电离） 在温度很低的情况下，没有本征激发存在，电中性条件简化：;由此可以看出： ①绝对零度（T＝0