氧化锌压敏电阻的制造.docVIP

第一部分?氧化锌压敏电阻的电性能参数 1?氧化锌压敏电阻(Zinc?Oxide?Varistor,ZOV)的特点 品质优良、价格低廉的ZOV，必须在以下5个方面无可挑剔：①使用环境；②外形尺寸；③电性能参数；④可靠性；⑤安全性。需从使用者的角度来分析：产品的使用温度；附近有没有热源；风力多大；空间灰尘的个数；有没有酸、碱、盐、油脂等污染，及污染的处理；电网波动情况；潮湿度；产品使用的气候区域；产品的体积；安装的结构，包括接线引出方式、引出端强度、可焊性等等。不由厂家向用户提供使用手册，最后还要考虑到使用寿命、热稳定性、热积累、阻燃性、防爆性等问题。所以，一个优秀的产品设计人员必须在产品制作之前，就对上述情况了解得很清楚，并且能通过对人、机、料、法、环的选择和控制，制定出合适的工艺路线，依据标准用试验来证明它的性能可靠性。最后，还必须保证产品是廉价的。 2?ZOV的制作 在讨论ZOV的制作之前，首先应该学习一下ZOV的导电机理，因为导电机理和微观形成机理是进行讨论和研究的基础。对此，作者推荐两篇论文，一篇是谭宜成博士的《ZnO压敏瓷主 晶界高非线性形成机理》(1987年博士论文)。该文详细叙述了ZnO压敏瓷的研制过程，用热离子发射、热助场发射、场发射理论，解释了正反偏肖特基势垒的电压-电流特性，用FromRel-Poolt发射、遂道效应、热激发跃迁、空间电荷限制电流理论，解释了薄绝缘层中的电压-电流特性，提出了他的主 晶界次晶模型。他对主 晶界、次晶界的形成理论、形成过程及其对电性能的影响作了很详细的研究，尤其是对致密化过程的研究很有实用价值。另一篇是《Zine?Oxide?Varistor》(IEEE.Electrieal?Insulatcon?Magazine?D.C?VOL1.91.P50)，该文叙述了从1968年Matsouka发明ZnO压敏电阻以来至1987年Suzuoki提出空间电荷引起的电流理论，这20年间压敏陶瓷导电机理的发展。详细叙述了8个模型：①在富铋晶界层内建立的空间电荷限制电流模型；②莱文逊（Levinson）、菲利普（Philip）提出的晶界面处通过薄层的遂道效应模型；③Emtage和Einzinger提出的有ZnO相和富Bi晶间相异质结的界面态肖特基势垒遂道效应模型；④Maham提出的通过具有空穴形成的肖特基势垒遂道效应模型，此模型提出了晶界处少数载流子（空穴）的重要性；⑤Einzinger提出的通过ZnO同质结构的遂道效应模型，此模型指出了冷却时在晶界形成 缺陷的热平衡的重要性；⑥Pike提出的空穴引起的穿透模型，此模型指出了由于空穴积聚使晶界处势垒降低造成了压敏陶瓷的高非线性，空穴是由于耗尽区的加速电子产生的，势垒的大小取决于体陷井和界面态⑦莱文逊（Levinson）、菲利普（Philip）提出的有异质结的旁路效应模型，此模型阐明了富铋晶界层在小电流区的重要作用，并假设了通过异质结和富铋晶界层的平行电流通路，此模型提出于1986年，至今仍在行业中沿用；⑧Suzuoki提出的由ZnO相和富Bi2O3薄膜组成的异质结外引起的空间电荷电流模型。 详细阅读这两篇论文对制造ZOV和分析工艺中出现的问题很有帮助。按照作者对ZnO压敏瓷的认识，空穴引起的穿透模型可以用来解释压敏陶瓷的高非线性、高α值、界面态效应、体陷井效应、空穴的产生机制和动态特性。旁路模型可以用来解释压敏陶瓷在小电流区域的电气特性、晶界老化特性。不过从个人的观点来讲，我更赞成谭宜成、宋晓兰博士的主晶界次晶界理论，更赞成用ZOV压敏陶瓷的热特性来分析问题，这样更便于在处理问题时对问题直观的理解。 在讨论过ZOV压敏陶瓷的导电机理之后，应该谈谈ZOV的几个最为重要的电性能参数。对于每一个研究ZOV的技术人员来说，所有电性能参数的意义早已了如指掌，不必祥述。在这里仅仅是想总结一下评价一支ZOV品质好坏的标准和其中所依据的原理。 (1)电压比（α值）? u=K?iα本公式推导过程如下： 静态电阻：R静=u/imi 动态电阻：R动=du/di 则：α=?R动/R静=??=? du/u=α?di/i 积分得：?=??=?? 展开得：ln?u?=α?ln?K?i 则：u=Kiα 从公式的推导过程可以看到，所谓非线性指数α值代表瞬间电阻偏离静态电阻直线的距离，它考核ZOV的响应特性，通常高压系产品的α值在60～80之间（1.039～1.029），好一些的产品可做到（1.026）；中压系产品的α值在35～58之间；低压系产品的α值能做到45就很不错了。对非线性指数α值不应该一味求高，应该更注重漏电流的稳定性。 (2)漏电流（IL） 通常需要同时测试80%V1mA和75%V1mA电压下的漏电流，要求这两个漏电流值的比80IL：7