尼曼-半导体物理与器件第四章1.pptVIP

* * 价带：被价电子占据的允带，且低温下通常被价电子占满。 导带：价带之上相邻的允带，低温下（特别当T＝0时）无电子占据——半导体。 * 晶体中电子的状态是通过求解薛定谔方程得到：可知一个波矢k值确定一个量子状态，因此以 k为坐标，两个相邻可能的k值之间只有一个量子态（这是以一维为例，如果是三维的话，在k坐标下也要考虑三个方向的k坐标：kx、ky、kz） * 在上一章我们讨论了一般晶体，运用量子力学的概念对其进行研究，确定了单晶晶体中电子的一些特性。 本章中，我们将运用这些概念专门研究半导体材料。 * 本章所涉及到的半导体均处于平衡状态，或是称为热平衡状态。 * 前面有提到过，我们最终想要得到的是对半导体器件电流-电压特性的描述。 因为电流是由于电荷的定向移动产生的，因此确定用于导电的电子、空穴的数量十分重要。 泡利不相容原理可知，一个状态只能被一个电子所占据，能量的允带由分立能级组成。 用一个能量函数来确定能量状态的密度，从而计算电子和空穴的浓度。 * 本征半导体中，热能会产生电子和空穴对，导带中的电子数量与价带中的空穴数量相等。 * * * 为了求出热平衡电子和空穴浓度，需确定EF相对于Ec和Ev的位置。 首先已本征半导体为例。 * 根据导带宽度（E’C-EC）的典型值，以及被积函数的特点，将积分上限E’C变为∞。 伽马函数是可以查表得到的，不必要记忆。 * * 平衡半导体载