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第4章 微电路与多芯片模块的材料与工艺 4.1混合电路用陶瓷基板 基板是一个电路的基础，起着元器件安装平台的作用，必须与基板金属化工艺以及元器件与金属化布线附接工艺兼容。 基板的性能要求： 高电阻率。基板必须具有很高的电阻率隔离相邻的电路； 高热导率。使正常工作的电子元器件产生的热传导出去； 耐高温。基板金属化和元器件组装在高温下进行； 耐化学腐蚀。抵抗熔剂、焊剂的侵蚀； 成本。成本与最终产品成本相适应。 第4章 微电路与多芯片模块的材料与工艺 4.1混合电路用陶瓷基板 陶瓷本质是带有非常少自由电子的晶体，具有很高的电阻，热学和化学性能稳定，并具有很高的熔点，非常适用很多微电子系统。 陶瓷常与金属结合在一起形成复合材料用于热管理。金属陶瓷（cermet）复合材料具有低的热膨胀系数和比陶瓷更高的热导率，韧性更好，更抗应力。 第4章 微电路与多芯片模块的材料与工艺 4.2 陶瓷的热性能 熔点 SiC: 2700℃; BeO:2570 ℃; BN:2732 ℃; Al2O3:2000; AlN:2232 ℃ 第4章 微电路与多芯片模块的材料与工艺 4.2陶瓷的热性能 热导率——材料载热能力的度量 q=-k·dT/dx k—热导率 W/(m·K); q—热流量 W/m2;dT/dx—稳态温度梯度； 比热容——每克物质每升高1K所需要的热量 c=dQ/dT 第4章 微电路与多芯片模块的材料与工艺 4.2陶瓷的热性能 热膨胀系数（TCE)——温度增加原子间距部对称引起的。金属和陶瓷在有意义的范围内显示一种线性的各向同性关系。 α=[L(T2)-L(T1)] / [L(T1)(T2-T1)] ppm/K-1 第4章 微电路与多芯片模块的材料与工艺 4.3 陶瓷基板的力学性能 第4章 微电路与多芯片模块的材料与工艺 4.3 陶瓷基板的力学性能 硬度——努氏（Knoop）硬度 金刚石：HK7000; BeO:HK1200; Al2O3:HK2100; BN:HK5000; AlN:HK1200; SiC:HK2500 第4章 微电路与多芯片模块的材料与工艺 4.3 陶瓷基板的电学性能 电阻率（倒数——电导率） 陶瓷基板电导率很低，由于存在杂质和晶体缺陷不同，电导率的变化很大； 击穿电压——陶瓷在正常情况下是好的绝缘体，但是在施加高的电位时，可产生足够的能量将电子从轨道中激发出去，同时又把其他电子从轨道中激发，产生雪崩效应，陶瓷的绝缘性被破坏，电流可以流动。 局部功率耗散或环境温度高，陶瓷表面润湿的高湿度条件下，伴有表面污染时，击穿电压比本征值低很多。 第4章 微电路与多芯片模块的材料与工艺 4.4 典型陶瓷基板材料 氧化铝 目前电子工业最常用的基板材料，在力、热、电性能上具有综合性能好的特点。原料丰富，价格低，适合用于不同形状。 密排六方刚玉结构，在1925℃还原气氛中稳定。 高温共烧陶瓷用W,Mo/Mn作为导体在1600 ℃烧结层压； 低温共烧陶瓷用Au,Pa/Ag作为导体在850 ℃烧结层压； 第4章 微电路与多芯片模块的材料与工艺 4.4 典型陶瓷基板材料 氧化铍 具有极高的热导率，比金属铝还高，热导率在300 ℃以上迅速降低，适用较低温度热沉； 密排立方闪锌矿结构，在干燥气氛2050℃稳定。在1100 ℃水解，在高温下和石墨反应生成碳化铍； BeO通过键合铜的工艺实现金属化。 可以加工成任何形状，但粉尘有毒。 第4章 微电路与多芯片模块的材料与工艺 4.4 典型陶瓷基板材料 氮化铝 把AlN粉末合助烧剂CaO，Y2O3以及有机粘接剂混合，流延成需要的形状，然后致密化烧结，必须在干燥的还原气氛下烧结。 高的热导率，并且与硅的TCE匹配 采用铜金属化工艺。 第4章 微电路与多芯片模块的材料与工艺 4.4 典型陶瓷基板材料 金刚石 采用化学气相沉积（CVD）生长。直接作为涂层沉积在难熔金属、氧化物、氮化物上，具有非常高的热导率，主要用于功率器件的封装。但其比热容较低，作为散热片与热沉材料一起工作效果较好。 第4章 微电路与多芯片模块的材料与工艺 4.4 典型陶瓷基板材料 氮化硼 具有明显的各向异性，在热压的BN法线方向热导率很高，TCE很低，可作为基板材料使用。 目前无法实现金属化。 第4章 微电路与多芯片模块的材料与工艺 4.4 典型陶瓷基板材料 碳化硅 可以采用热压、干压、等静压、CVD、流延法制备基片材料。 属于半导体，具有极高的热导率合很低的TCE，与硅的匹配好，比BeO合AlN便宜。 第4章 微电路与多芯片模块的材料与工艺