数电-09-10 半导体存储器和可编程器件n.pptVIP

概述 3、存储矩阵：由若干存储单元排列成矩阵形式。 7.3 可编程逻辑器件 通知 2087、 2090 、2097、2100 2101、2103、 2059、2060 2066、2068、 2078、 2081 例如：A1A0=10， Y2=1，Y0、Y1、Y3=0 由于位线与地址线用二极管连接， 所以Y0,Y1,Y3不影响D的状态。 0 0 1 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 0 0 A1A0 D3 D2D1D0 ※ D3 D2D1D0=1110 1 1 1 0 (2)EPROM(光擦除可编程ROM) 浮栅是与四周绝缘的一块导体。 控制栅上加正电压，P型衬底上部感生出电子，NMOS管导通。 如果浮栅带负电，则在衬底上部感生出正电荷，阻碍控制栅开启MOS管。开启需要更高的电压。 控制栅加相同电压时，浮栅带电与否，表现为MOS管的截止或导通，即存储二值逻辑1或0。 ※ SIMOS管 写入数据前，浮栅不带电，要使浮栅带负电荷，必须在栅极和漏极加上高电压。 高电压使漏极PN结反相击穿，产生大量高能电子，在栅极高电压的吸引下，电子穿透栅极绝缘层，部分堆积在浮栅上使浮栅带负电。当移去外加电压后，浮栅上无放电回路，故能长期保存。 只有用紫外线照射时，浮栅上的电子形成光电流释放。 为便于擦除，芯片封装上装有透明的石英盖板。EPROM为一次全部擦除，数据写入需要通用或专用的编程器。 ※ (3)E2PROM E2PROM也是采用浮栅技术。浮栅与漏极N+区延长区有一点交迭，并且交迭处的绝缘层厚度很小。 控制栅上加高电压，漏极接地，即可对浮栅充电。在高电压作用下，电子穿透绝缘层积累在浮栅上，使浮栅带负电荷——“隧道效应” 控制栅接地，漏极接高电压，则产生与上述相反的过程，即可对浮栅放电。 ——电擦除！ E2PROM擦除的过程就是改写过程，以字为单位进行擦写的。 E2PROM具有ROM的非易失性，又具备类似RAM的功能，可以随时改写。一般芯片内部带有升压电路，可以直接读写E2PROM。 ※ (4)快闪存储器FLASH ROM 结合EPROM结构简单、编程可靠的优点和E2PROM擦除快捷的特性。集成度高，可靠性好。 较大 绝缘层 更薄 特点： a.通过在源极上加正压，使浮栅放电，擦除写入的数据。 b.因为个存储单元MOS管的源极是连在一起的，所以擦除是整片或分块擦除。 c.擦除速度很快，一般整片擦除只需几秒钟。 ※ 相同点： 1)均为电擦除，不需要专门的工具写入和擦除。 2)内部需要有升压电路，擦除时间短(ms级)； 不同点： E2PROM是对单个存储单元擦除； FLASH ROM由于源极都并联，所以擦除时为整片擦除，或分块擦除，擦除速度更快。 E2PROM和FLASH ROM的比较： ※ EPROM集成电路 AT27C010， 128K′8位ROM 读操作时的工作电压5V 编程操作时的工作电压13V 输出使能 信号 片选 信号 编程选通 信号 控制信号均为低电平有效！ ※ 数据输出 VPP Ai 1 0 0 编程校验 数据输入 VPP Ai 0 1 0 快速编程 高阻 X Ai X X 1 等待 高阻 X X X 1 X 输出无效 数据输出 X Ai X 0 0 读 D7 ~ D0 VPP A16 ~ A0 工作模式 表7.1.3 工作模式 片选 信号 输出使能 信号 编程选通 信号 说明：EPROM的数据写入均由专用或通用编程器完成。 ※ ROM的读操作与时序图 （2）加入有效的片选信号 （3）使输出使能信号 有效，经过一定延时后，有效数据出现在数据线上； （4）让片选信号 或输出使能信号 无效，经过一定延时后数据线呈高阻态，本次读出结束。 （1）欲读取单元的地址加到存储器的地址输入端； ※ 概述: 一、数字集成电路的分类(从逻辑功能特点上分): 1、通用型数字集成电路:各种中小规模数字集成电路 特点：逻辑功能简单，且固定不变。 从理论上讲，可以用其组成任何复杂的数字系统，但电路体积大、重量大、功耗大、可靠性差。 2、专用型数字集成电路:为专门用途设计的大规模数字集成电路(Application Specific Integrated Circuit，简称ASIC) 特点：体积小、重量轻、功耗小、可靠性好。 缺点：用量不大的情况下，成本高，设计、制造周