用於快闪式记忆元件与电路性能及可靠性模拟的元件模式ACompact.pdfVIP

用於快閃式記憶元件與電路性能及可靠性模擬的元件模式 A Compact Model for Performance and Reliability Simulation of Flash EEPROM Cell and Circuits 計劃編號 ： NSC 88-2215-E-009-046 執行時間 ： 年 月 日至 年 月 日 88 8 1 89 7 31 主持人 ：莊紹勳 國立交通大學電子工程學系 一 、中文摘要 氧化層電荷(Qox) 也納入閘極電流模型 與汲極電流模型中 ，以模擬耐久性或 利用電路階級的模擬來完成設計最佳 P/E cycling 之後的元件及電路退化特 化 ，在元件的研發中是很重要的一個步 性 。 驟 。電路模擬器作為電腦輔助設計 (CAD) 的工具 ，已經廣泛地應用在設計工作中的 關鍵詞 ：快閃式記憶元件 、閘極電流模 各個階段 。在快閃式記憶元件的設計中， 型 、汲極電流模型、SPICE 模型 、電路 暫態特性是絕對需要的 。為了建立起暫態 模擬器 分析的基礎與透徹地了解快閃式記憶元件 的操作模式，一個解析的 閘極電 Abstract (analytical) 流模式是不可或缺的 。此外，為了要模擬 快閃式記憶體的電路操作 ，也必須依賴精 Circuit level simulation for design 準的汲極電流模式。另一方面 ，反覆地寫 optimization is a very important step in 入與抹除所造成的傷害將會導致元件性能 device development. Circuit simulator as a CAD tool has been extensively used at 均勻地退化 ，因而限制了元件的耐久度 various design stage. In the flash memory cell, (endurance) 。反覆寫入抹除所造成的氧化層 transient behavior is one of the most 缺陷 ，將會降低元件寫入速度與操作窗口 important characteristics. To form the basics 封閉(operation window closure) 。 of transient analysis and to fully understand flash memory device operation, an analytical 在本計畫中 ，我們提出快閃式記憶 gate current model is needed first. In addition, 元件之完整 SPICE 模式。這個模式包含 for simulating circuit operation of flash 閘極電流解析模式 、汲極電流模式、暫 memory cells, an accurate drain current 態特性分析 ，以及元件特性退化模式 model is also