用霍尔效应改进只读存储器.pdf

2017/1/5 用霍尔效应改进只读存储器 信院一班 刘林 P content 1.传统的只读存储器的类型与简介 2.用霍尔效应改进后的 只读存储器的简介 主要内容 3.改进后的存储器所需的B与电 4.走向应用亟待解决的问题 流I的大小的关系的计算 1 2017/1/5 半导体存储器简介 半导体存储器是一种能够储存大量二值信息的 电子器件，在存储功能上分为只读存储器（ROM） 和随机存储器（RAM）。 一.传统只读存储器的类型与简介 2 2017/1/5 1.只读存储器的分类 掩膜ROM 可编程的ROM 光可擦除的ROM 可编程可擦除的ROM 电信号可擦除的ROM 2.只读存储器（ROM）的基本结构 ROM的结构包括存储 矩阵，地址译码器与输 出电路组成，其中存储 矩阵中的元件的类型决 定了只读存储器的类型 （二极管 双极型三极管 在存储矩阵中改变电子元 MOS管）。 件的分布就可以将不同的地址 译码器中的最小项以与的形式 输出。 3 2017/1/5 3.掩膜存储器，紫外线，电信号擦除的存储器 二.用霍尔效应改进后的ROM的简介 4 2017/1/5 1.改进后的掩膜存储器 ←金属层 ←二氧化硅层