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3. 1 有两只晶体管,一只的β=200,ICEO=200μA;另一只的β=100,ICEO=10μA,其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子?为什么?
解:选用β=100、ICBO=10μA的管子,因其β适中、ICEO较小,因而温度稳定性较另一只管子好。
3.2已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图3.2所示。分别求另一电极的电流,标出其实际方向,并在圆圈中画出管子。
图3.2
解:答案如解图3.2所示。
解图3.2
3.3测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图3.3所示。在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。
图3.3
解:晶体管三个极分别为上、中、下管脚,答案如解表3.3所示。
解表3.3
管号
T1
T2
T3
T4
T5
T6
上
e
c
e
b
c
b
中
b
b
b
e
e
e
下
c
e
c
c
b
c
管型
PNP
NPN
NPN
PNP
PNP
NPN
材料
Si
Si
Si
Ge
Ge
Ge
3.4 电路如图3.4所示,晶体管导通时UBE=0.7V,β=50。试分析VBB为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。
解:(1)当VBB=0时,T截止,uO=12V。
(2)当VBB=1V时,因为
μA
所以T处于放大状态。
(3)当VBB=3V时,因为
μA 图3.4
所以T处于饱和状态。
3.5 电路如图3.5所示,试问β大于多少时晶体管饱和?
解:取UCES=UBE,若管子饱和,则
所以,时,管子饱和。
图3.5
3.6 分别判断图3.6所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。
图3.6
解:(a)可能 (b)可能 (c)不能
(d)不能,T的发射结会因电流过大而损坏。 (e)可能
3.7分别改正图3.7所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。
图3.7
解:(a)将-VCC改为+VCC 。
(b)在+VCC 与基极之间加Rb。
(c)将VBB反接,且在输入端串联一个电阻。
(d)在VBB支路加Rb,在-VCC与集电极之间加Rc。
3.8试分析图3.8所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
图3.8
解:(a)不能。因为输入信号被VBB短路。
(b)可能。
(c)不能。因为输入信号作用于基极与地之间,不能驮载在静态电压之上,必然失真。
(d)不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。
(e)不能。因为输入信号被C2短路。
(f)不能。因为输出信号被VCC短路,恒为零。
(g)可能。
(h)不合理。因为G-S间电压将大于零。
(i)不能。因为T截止。
3.9 电路如图3.9(a)所示,图(b)是晶体管的输出特性,静态时UBEQ=0.7V。利用图解法分别求出RL=∞和RL=3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom(有效值)。
图3.9
?
解:空载时:IBQ=20μA,ICQ=2mA,UCEQ=6V;最大不失真输出电压峰值约为5.3V,有效值约为3.75V。
带载时:IBQ=20μA,ICQ=2mA,UCEQ=3V;最大不失真输出电压峰值约为2.3V,有效值约为1.63V。
如解图3.9所示。
解图3.9
3.10在图3.10所示电路中, 已知VCC=12V,晶体管的?=100,=100kΩ。填空:要求先填文字表达式后填得数。
图3.10
(1)当=0V时,测得UBEQ=0.7V,若要基极电流IBQ=20μA, 则 和RW之和Rb= ≈ kΩ;而若测得UCEQ=6V,则Rc= ≈ kΩ。
(2)若测得输入电压有效值=5mV时,输出电压有效值=0.6V, 则电压放大倍数= ≈ 。若负载电阻RL值与RC相等 ,则带上负载后输出电压有效值= = V。
解:(1) 。
(2)
3.11已知图3.10所示电路中VCC=12V,RC=3kΩ,静态管压降UCEQ=6V;并在输出端加负载电阻RL,其阻值为
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