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上页 下页 返回 模拟电子技术基础 3.2 绝缘栅型场效应管 N沟道 IGFET 耗尽型 增强型 P沟道 N沟道 P沟道 绝缘栅型场效应管的类别 3.2.1 增强型MOS管 g s d N+ N+ SiO2保护层 Al b P 结构示意图 P N+ s g d N+ 以P型半导体作衬底 形成两个PN结 SiO2保护层 引出两个电极 引出两个电极 引出栅极 Al 从衬底引出电极 两边扩散两个高浓度的N区 SiO2保护层 P N+ s g d N+ Al 故又称为MOS管 管子组成 a. 金属 （Metal) b. 氧化物 (Oxide) c.半导体(Semiconductor) 1. 工作原理 电路连接图 P N+ s g d N+ – + + – (1) uGS =0 , uDS≠0 源极和漏极之间始终有一个PN结反偏，iD=0 P N+ s g N+ iD=0 d – + + – P N+ s g N+ iD=0 d – + + – (2) uGS 0 ,uDS =0 产生垂直向下的电场 P N+ s g N+ iD=0 g – + + – 电场排斥空穴 吸引电子 形成耗尽层 P N+ s g N+ iD=0 d – + + – 形成导电沟道 当uGS =UGS(th)时 出现反型层 P N+ s g N+ iD=0 d – + + – UGS(th)——