《高速MOSFET门极驱动电路的设计应用指南》-毕业论文（设计）.docVIP

高速MOSFET门极驱动电路的设计应用指南 author Laszlo Balogh translator Justin Hu 摘要 本文主要演示了一种系统化的方法来设计高速开关装置的高性能门极驱动电路。文章收集了大量one-stop-shopping 主题的信息来解决最普通的设计挑战。因此它应当对各种水平的电力电子工程师都适用。 最常用的电路方案和它们的性能都经过了分析，包括寄生参数、瞬时和极端运行条件的影响。文章首先回顾了MOSFET技术和开关运行模式，然后由简入繁地讨论问题。详细的描述了参考地和高端门极驱动电路的设计程序、交流耦合和变压器隔离方案。专门的一章用来介绍同步整流装置中MOSFET的门极驱动要求。 文章另举出了几个设计的实例，一步一步进行了说明。 Ⅰ.引言 MOSTET是金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的缩写，是电子工业中高频、高效率开关装置的关键器件。令人惊叹的是，场效应晶体管技术发明于1930年，比双极性晶体管早了大约20年。第一个信号级别的场效应晶体管20世纪50年代末期被制造出来，功率级别的MOSFET在20世纪70年代中期出现。而今天无数的MOSFET被集成到现代电子器件中，无论是微处理器还是分立的功率晶体管。 本文所关注的是功率MOSFET在各种各样的开关模式功率变换器装置中门极驱动的要求。 Ⅱ.MOSFET技术 双极性和MOSFET晶体管都使用了同样的工作原理。从根本上讲，这两种晶体管都是电荷控制的器件，这就意味着它们的输出电流和控制电极在半导体中建立的电荷成比例。当这些器件用作开关时，它们都必须被一个低阻抗的电源驱动，电源要能提供足够的充放电电流来使它们快速建立或释放控制电荷。从这一点来看，MOSFET在开关过程中必须和双极性晶体管一样通过“硬”驱动才能获得类似的开关速度。理论上，双极性和MOSFET器件的开关速度几乎一样，由载流子运动经过半导体区域所需要的时间决定。功率器件的典型值根据器件的尺寸大约20us到200us不等。 MOSFET技术在数字和功率装置中的广泛应用是由于它相对于双极性(结)晶体管有两大优点。一个优点是MOSFET器件在高频开关装置中易使用，因为驱动MOSFET(比驱动双极性晶体管)更简单。MOSFET晶体管的控制电极与电流流过的硅是隔离的，因此不需要连续的开通电流，一旦MOSFET晶体管被开通，控制电流实际上是0，而且MOSFET中控制电荷和相应的存储时间大大减少。这一点根本上消除了设计中导通状态压降与关断时间之间(矛盾)折衷的问题，导通状态压降与过剩的控制电荷成反比。结果是，与双极性器件相比，MOSFET技术有望使用更简单和有效的驱动电路带来显著的经济效益。 MOSFET的电阻特性作为第二个优点对功率装置特别重要。MOSFET的漏极与源极间的压降是流过半导体电流的线性函数。这个线性关系用参数RDS(on)表征，称之为导通电阻。当给器件定门极到源极电压和温度时，导通电阻是一个常数。与p-n结-2.2mV/’C的温度系数相反，MOSFET有大约0.7%/’C到1%/’C的正温度系数。在更大功率装置中使用单个器件往往是不现实或者不可能的，这就需要并联运行来解决，MOSFET正温度系数的特点有利于使它们并联工作。MOSFET在并联工作情况下彼此间的流过的电流倾向于均等。这种均流是因为正温度系数使它们通过缓慢的负反馈自动实现。由于DS间的电压是相等的，那么流过更大电流的器件会使它更热， 而更高的温度会使RDS(on)变大，这又使流过它的电流减小，这样温度又会下降。当并联器件流过的电流相似时，一种平衡就达到了。(需要注意的是，)最初RDS(on)的差值和不同结对环境热阻的差值可能引起高达30%的均流误差。 A. Devi