材料分析方法-第六、七章.pdfVIP

一、填空题： 6.1、高分辨像是通过 高分辨电子显微方法 ，这样的操作来获得的。 ( ) ( ) 6.2、对于薄试样，透射函数为 , = [ , ] ，由于试样的存在，入射电子波 ( ) 较之真空传播的情况，只发生了位相的变化，这个位相变化量为 , 。 ( ) ( ) 6.3、当试样厚度为2 、3nm 时的透射函数为 , ≈ + , ，由此可知， 电压 越低，物质的内势 就越大，入射电子的相位变化 就越大。如果不考虑 像的放大作用 与 ( ) ( ) 物镜光阑的作用 ，像的强度为 , ≈ ± , 。 6.4、像的强度是 试样的物质势 和 厚度 的线性函数。 6.5、提高高分辨像的分辨极限，需要对 衍射分辨极限 ， 球差 ， 色差 ， 象散 ， 欠焦 量 进行调整，从而获得最佳清晰像。 6.6、高分辨的优点 精度高，可以观察位错的分开距离和分解样子 。 7.1、电子与固体相互碰撞可能发生 弹性散射 和 非弹性散射 两种散射情况。 7.2、 背散射电子 和 二次电子 是扫描电镜成像的物质基础。 7.3、弹性散射产生 背散射电子 信号，非弹性散射有 二次电子 ，X 射线 ， 俄歇电子 ， 荧光辐射 ， 阴极荧光 等五种信号。 7.4、 电子探针 技术可以对样品进行进行微区成分分析。X 射线测量谱可以分为 波长分散 谱仪 ， 能量分散谱仪 两种，分别用于测定 特征X 射线波长 和 X 射线特征能量 。 7.5、EDS 中探测器保护窗口有两种类型，一种是 铍窗口型 ，可以探测 比Na(Z＝11)重的 元素；另一种是 超薄窗口型 ，可以探测 测量C(Z＝6) 以上的比较轻 的元素。 7.6、电子能量损失谱的基础是 具有特征能量损失的透射电子的信号 。 7.7、EELS 有 磁棱镜谱仪 和 内置Ω过滤器 两种装置。 7.8、电力损失峰的强度取决于 原子的微分散射截面 和 电子跃迁过程的末态态密度 ，因 此可以获得 原子的化学价态 信息。 二、简答题： 6.1、高分辨电镜都有哪几种图像？各自的成像原理及特点。 （1）晶格条纹像： 成像原因：采用物镜后焦面的两个波来成像，由于二者的干涉效应，得到一维方向上强度 呈周期变化的条纹花样，这就是晶格条纹像。 成像特点： i、各种厚度和聚焦条件都可以观察到，拍摄容易； ii、晶格条纹有的模糊，有的清晰； iii、反映晶体分布和形状； iv、分析晶体结构时，一般与衍射花样配对使用。 （2 ）一维结构像： 成像原因：当入射束平行于某一晶带轴时，在最佳聚焦条件下，可以获得包含晶体结构的一 维条纹像，即像的衬度与原子排列存在对应关系。 成像特点： i、由明暗相间的条纹组成，每条条纹对应于一个堆垛层面； ii、适于多层结构材料的分析，一般附带衍射花样。 （3 ）二维晶格像： 成像原因： 在衍射花样中，套取原点和单胞晶面的衍射束，使之干涉成像，就可以获得显 示单胞二维晶格的像，因为该像不包含原子尺度（单胞内原子排列的信息）， 因此，称为二维晶格像。 成像特点： i、为离散的或明、或暗的像点构成二维网格； ii、像点不能说明原子是否存在； iii、当试样中存在缺陷时，要使用薄试样和最佳的聚焦条件，否则缺陷像发生错乱， 很难解释。 （4 ）二维结构像： 成像原因： 保证分辨率的前提下，在衍射花样中，套取原点和尽可能多的单胞晶面的衍射 束，使之干涉成像，就可以获得含有单胞内原子排列信息的单胞二维结构像。 成像特点： i、由明暗相间的图样周期排列组成； ii、像点对应于单胞内的原子； iii、对于原子序数高的试样，结构像只在薄区可以观察到。 （5 ）特殊像： 成像原因： 在衍射花样中，选取特定“