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Journal of South China Normal University (Natural Science) 1999(3):99～ 107
1000-5463(1999)03-0099-09
MOCVD
1、2) 1) 1) 1) 1) 1)
文尚胜 廖常俊 范广涵 刘颂豪 邓云龙 张国东
1) 510631; 2) 510641
MOCVD .MOCVD
、.、
MOCVD .MOCVD .
MOCVD ;;;
TN304;TN209 A
1 MOCVD
MOCVD(Metal organic chemical vapor Deposition), 196
Manasevit[1,2]
.Ⅲ、ⅡⅤ、Ⅵ,
, Ⅲ-Ⅴ, Ⅱ-Ⅵ
.:
H
R -M +R -M 2 M -M +R -R ←.
1 1 2 2 650 ～750℃ 1 2 1 2
M1=ⅢA M1=ⅡB M1=ⅥA R1=CH3、C2H5
M =Ⅴ M =Ⅵ M =Ⅵ R =H、CH 、C H
2 A 2 A 2 A 2 3 2 5
MOCVD , .
(1):,
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(2), MOCVD .
,
.,
MOCVD ,、.
:1999-01-20
(3).(),
,MOCVD
.
(4).、,
.Ⅲ,
, (0.05 ～1μm/min).
(5)MOCVD .
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, InP、GaInAsP In .
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2 MOCVD
MOCVD 、、、、
,(MO)MOCVD .
2.1
MOCVD ,,.
MOCVD MO ,:(1);(2);(3)
;(4);(5).,
1 Ⅲ
(℃) B A
(CH )Al
3 3 TMAl 15 10.347 2134.3
(C H )Al
A1 2 5 3 TEAl -5 11.1229-2361.2/(T-73.2)
(CH )AlN(CH )
3 3 3 3 TMAl-TMN (59.5 pa/20℃)
(CH )AlH DMAlH 11.044 2575
3 2
AlH (CH ) TMAA 76 (266.6 pa/25℃)
3 3 3
(CH )Ga TMGa -15. 10.193 1703
3 3
(C H )Ga
Ga 2 5 3 TEGa - 2.5 10.3479 2222
(C H )GaCl
2 5 2 DEGaCl
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