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1 四元LED外延基础知识 2 主 要 内 容 一. LED基础知识 二. MOCVD相关简介 外延生长及测试 3 LED - Light Emitting Diodes 发光二极管 一、LED基础知识 4 一、LED基础知识 5 一、LED基础知识 四元--发光层MQW为AlGaInP，含有四种元素 6 GaAs基 和 GaN基 LED 不可互相取代 一、LED基础知识 7 一、LED基础知识 LED发光原理 + - 衬底 + - N型 P型 MQW 发光区 - - - - + + + + - 8 主 要 内 容 一. LED基础知识 二. MOCVD相关简介 外延生长及测试 9 外延片 外延生长机台MOCVD 二、MOCVD简介 10 VEECO AIXTRON 二、MOCVD简介 MOCVD，Metal Organic Chemical Vapor Deposition的简称， 金属有机化学汽相淀积。 11 12 13 MOCVD组成 二、MOCVD简介 14 各机型反应腔 AIXTRON VECCO 二、MOCVD简介 15 常用MO源：TMGa(三甲基镓，液态) 　　　　　 TMAl（三甲基铝，液态） 　　　　　 TMIn（三甲基铟，固态，现已有液态） 　　　　　　 Cp2Mg（二茂基镁，固态，现已有液态） 载气：纯度很高（99.999999%）的氢气和氮气 特气：高纯度（99.9999%）的AsH3（砷烷，液态）、 PH3（磷烷，液态） Si2H6（乙硅烷，气态）、SiH4（硅烷，气态） 气控单元：主要由MFC（流量计）、PC（压力计）、单向阀、气动阀以及管道等组成，用于气体的控制和输送。 控制单元：根据计算机输入的生长程序指令，对工艺进行控制。 二、MOCVD简介--源 16 衬底 四元LED：GaAs(砷化镓) 特点： 真空包装和充氮包装 洁净环境下开封 开袋后无须其它处理 即可使用 二、MOCVD简介--衬底 17 衬底 化学蚀刻 抛光 边缘处理 二、MOCVD简介--衬底 18 尾气处理器 Scrubber 主要用于生长后的废气处理，使其达到无污染排放。 红黄光生长产生尾气用化学尾气处理器处理，蓝绿光生长产生的尾气用湿法尾气处理器处理。 二、MOCVD简介-尾气处理器 19 主 要 内 容 一. LED基础知识 二. MOCVD相关简介 外延生长及测试 20 1. 外延生长 三、外延生长与测试 Ⅲ族原子 Ⅴ族原子 21 1. 晶体生长 TMGa (CH3)3Ga AsH3 三、外延生长与测试 22 2. 外延结构 （1）对衬底进行高温处理，以清洁其表面，去除表层氧化层，露出新鲜表面。 （2）生长一层GaAs buffer（缓冲层），其晶格质量比衬底好，可消除衬底对外延的影响，但不能消除位错。 （3）生长一套DBR反射镜。它是利用AlGaAs和AlAs反射率不同，可达到增强反射效果。减少衬底对发光光线的吸收。 每层厚度：d=λ/4n　 （d-每层厚度，λ-波长，n-折射率） p+ GaAs p-GaP TL p-AlGaInP p- Al0.5In0.5P n- Al0.5In0.5P (AlxGa1-x)0.5In0.5P (AlyGa1-y)0.4In0.6P MQW DBR n-AlGaAs/AlAs Buffer layer n-GaAs GaAs Ssubstrate 三、外延生长与测试 23 （4）生长一层n型AlInP，为Active layer (有源区)可提供电子，同时对载流子起到空间限制的作用，可明显提高发光效率。 （5）Active layer（有源层，即发光层）， (AlxGa1-x)0.5In0.5P /(AlyGa1-y)0.5In0.5P。发光波长和光强主要由此层决定。通过调节MQW中的Al组分，进而调节波长。通过优化此层的参数（阱个数、材料组分、量子阱周期厚度），可提高发光效率。 （6）生长一层P型AlInP，可提供空穴，此层Al组分很高，对载流子起到空间限制的作用，可明显提高发光效率。 2. 外延结构 p+ GaAs p-GaP TL p-AlGaInP p- Al0.5In0.5P n- Al0.5In0.5P (AlxGa1-x)0.5In0.5P (AlyGa1-y)0.4In0.6