GaAs_InGaAs量子点_量子阱光电二极管的光存储特性读出.docVIP

〈材料与器件〉 GaAs/InGaAs量子点-量子阱光电二极管的光存储特性读出 肖云钞,郭方敏 (华东师范大学信息科学技术学院极化材料与器件教育部重点实验室,上海 200241 摘要:通过对特殊设计的GaAs/InGaAs 量子点-量子阱光电二极管的I-V和C-V特性测试,验证了器件的光子存储特性,在器件的读出设计中引入了特殊设计的带倒空信号的基于电容反馈互导放大器和相关双采样(CTIA-CDS型读出电路。在633nm辐照下,分别改变照度和积分时间进行了非倒空和倒空测试的对比研究,并计算给出了对应的存储电荷变化量,进一步证明了光电器件的光子存储特性。 关键词:GaAs/InGaAs;量子点-量子阱光电二极管;光子存储;CTIA读出电路;倒空信号 中图分类号:TN215 文献标识码:A 文章编号:1001-8891(201105-0281-03 Optical Charge Memory of the GaAs/InGaAs Quantum Dot Well Diode XIAO Yun-Chao,GUO Fang-Min (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, School of Information Sciences and Technology, East China Normal University, Shanghai 200241, China Abstract:Through testing I-V characteristics and C-V characteristics of specially designed GaAs/InGaAs quantum dot-quantum well device, the optical memory effect is analyzed and verified, , and the CTIA-CDS readout circuit with the dumping signal is introduced.. By comparing respectively the results of non-dumping and dumping test in a different light intensity and integration time, the stored charge change is obtained , and the feasibility optical memory of device is further explained. Key words:GaAs/InGaAs,quantum dot in well,optical storage,CTIA readout circuit; dumping 引言 近年来,低维结构在光电探测器、电荷转移器件和光子存储器方面的研究成为了一个热点。经特殊设计的混合型异质结GaAs量子阱量子点结构受光激发时,得到空间分离的电子空穴对而被存储,有望研制出高频高速的光子存储器,应用于光信号处理系统及光子计算机中[1-4]。光电器件若有信号电荷转移功能,那么可以采用相应的时钟控制来实现信号电荷耦合和转移,最终结合光电转换、信号电荷存储和电荷读出实现图像传感器,应用于数码照相机及太空探测等领域[2]。 CTIA读出结构具有偏置稳定、高线性、噪声低、均匀性好和动态范围大等优点,CDS结构能抑制FPN 噪声和开关复位噪声等优点,CTIA-CDS型读出电路得到广泛应用[5-7]。针对该器件的光子存储效应,引入设计了倒空信号。 1 器件测试与分析 图1是GaAs/InGaAs量子点-量子阱复合材料结构[3],通过分子束外延生长经过特殊设计的量子阱中分别有量子点和量子阱。器件被封装在杜瓦内,抽真空后杜瓦固定在光学平台上,He-Ne激光器(633nm作为光源,发射的激光束经过衰减片聚焦照射到器件像元窗口,Kelthley 4200-SCS半导体特性分析仪分别记录器件的I-V特性、C-V特性。 在图2(a I-V特性曲线上可用看到在1V偏压下出现的台阶状电流阶跃,说明半导体低维结构受光激发后,入射光子先转变成空间分离的电子空穴对,分别存储在低电势的InGaAs量子阱和InAs量子点中, 281 282 它们形成的内建电场将部分屏蔽GaAs 阱承受的外加电场,增大了AlAs 势垒上的压降,使得通过整个结构的隧穿电流在光照下出现了台阶状响应电流的阶跃变化[1-3]。 图1 量子阱-量子点光电二极管结构图示 Fig.1 The dot-in-a-well (DWELL device structure -3-2-1