Ga掺杂ZnO电子结构和吸收光谱的第一性原理研究.docVIP

第27卷第3期 原 子 与 分 子 物 理 学 报 V01.27No.3 2010年6月 JOURNAL 0F ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS Jun.2010 doi l 103969/j.issn。1000—0364.2010.03.032 Ga掺杂ZnO电子结构和吸收光谱的 第一性原理研究 刘建军,陈 (淮北师范大学物理与电子信息学院,淮北235000 摘要:采用第一性原理的平面渡赝势方法和广义梯度近似,研究了纤锌矿ZnO掺杂Ga前后的电子结构 和光学性质.计算结果表明,ZnO中引入杂质Ga后,导带底主要由Ga4s态和Zn4s态构成,并且Ga4s态跨 过费米能级,形成n型半导体.计算得到电子浓度为2.42×1021cm~,掺Ga有效提高了ZnO的裁流子浓 度.同时ZnO掺Ga后,ZnO的光学带隙从3.47eV展宽为4.25eV,并且在可见光区几乎无吸收,是理想 的透明导电材料. 关键词:第一性原理;电子结构;吸收光谱IGa掺杂ZnO 中图分类号:0471文献标识码:A 文章编号:1000—0364(201003—0575—06 First—principles study Oil the electronic structures and absorption spectrum of Ga—doped ZnO LIU Jian-Jun.CHEN San (Department of Physics and Electronic Information,Huaibei Normal University,Huaibei 235000,China Abstract:The electronic structures and optical properties of pure and Ga—doped Wurtzite ZnO are studied by using first—principles plane wave pseudopotential method within the generalized gradient approxima-tion.The calculation results show that the bottom of conduction band is occupied by Ga4S and Zn4S states,and Ga4s states cutting across Fermi energy produces n-type semiconductor by Ga doped ZnO.E— lectron concentration is 2.42×1021am~by calculation,and carrier concentration of Zn0iS increased by doping Ga.Meanwhile。optical band gap of ZnO broadens from 3.47eV to 4.25eV.There is almost no absorption in the visible 1ight region,and SO Ga doped ZnO is an ideal transparent conductive material. Key words:first-principles,electronic structure,absorption spectrum,Ga-doped Zn 1引 言 纤锌矿ZnO是一种新型的Ⅱ一Ⅵ族宽禁带氧 化物半导体材料,其室温下的禁带宽度为3.3eV, 具有优良的压电、光电特性,尤其是室温下ZnO的 激子束缚能高达60meV,使其成为制造透明导电 薄膜和紫外光电器件的理想光电子材料[1-a].另外 ZnO在气敏传感器[4]、声表面波器件[5]、透明电 极[6]以及太阳能电池口’8]等方面具有广泛的应用前 景.近几年来,人们在大量实验研究的基础上,发现 对ZnO进行合适的掺杂可以改变它的能带结构, 从而使Zn0材料的结构性能及光电性能得到改 善.例如,Ma Quan—bao等人[91制备了掺Ga的 ZnO薄膜,发现薄膜在近红外区域有很高的反射 收稿日期:2009-07—30 基金项目:国家自然科学基金作者简介:刘建军(1974一,男,安徽淮北人,硕士,讲师,主要研究领域为半导体材料计算.E-mail:jiliuhb@163.corn 万方数据 原予与 分子物理 学报 第27卷 率和透明电导率;Bhosle V等人[10]研究了透明导 电ZnO:Ga薄膜在14K---300K温度下电阻率的 变化与Ga掺杂浓度的关系;Tetsuya YAMAMO— TO等人