《2-脱溶与调幅分解》-精选课件(公开).pptVIP

一、脱溶沉淀现象 1、定义：从过饱和固溶体中析出一个成分不同的新相或形成溶质原子富集的亚稳区过渡相的过程。 2、条件：①合金固溶度随温度而变化， T↑，固溶度↓ ②合金从单相区进入双向区 3、类型： 2、定义：过饱和固溶体在一定温度下分解成结构相同、成分不同的两个相的过程。 二、调幅分解的热力学 1、Cahn连续性模型基本特点（假设） ① 溶质原子的涨落（成分起伏）呈余弦或正弦分布 ②溶质原子聚集区与母相没有清晰界面 ③由连续涨落产生浓度梯度 的变化 2、非均匀固溶体的自由能（立方晶体、各向同性介质） (*) 第三章 脱溶（沉淀） 不连续脱溶 连续脱溶 均匀脱溶 局部脱溶 脱溶 §1 过饱和固溶体的脱溶 连续均匀脱溶：如果沉淀过程在母相中各处同时发生，母相的成分连续变化，但其晶粒外形及位向均未改变。 连续沉淀形成的魏氏组织， Si-Mn-Al合金，800℃缓冷 连续不均匀脱溶：沉淀相择优地析出与晶界、亚晶界、位错、非共格的孪晶界等处 发生条件：连续均匀脱溶——△T↑ 连续不均匀脱溶——△T↓ 不连续脱溶:高度过饱和固溶体发生的胞状沉淀，如Cu-Zn、 Cu-Mg、Cu-Be合金等。 不连续脱溶的胞状组织 Al-Ag合金，300℃/4h时效 特征：①成核多数在晶界处，并向晶内生长，呈层片相间分布 ②转变区与未转变区有明显分界 ③α和α’晶体位向不同、成分不同，但结构相同 有利于不连续脱溶的条件: ①脱溶驱动力大 ②当晶界不均匀成核几率大 ③晶界扩散系数大 不连续脱溶与连续脱溶的主要区别： ①前者主要析出物在晶界上，并形成胞状物 后者主要析出物在晶内，较为均匀 ②前者属短程扩散 后者属长程扩散 ③前者脱溶物附近成分不连续变化 后者脱溶物附近成分连续变化 ④前者伴随再结晶 后者没有再结晶 4、实例：Al-(2~4.5%Cu) 130℃时效析出析出序列： α→G·P·Ⅰ → θ”(G ·P ·Ⅱ) → θ’ →θ Al-(2~4.5%Cu)合金 550℃固溶，水淬 130℃时效 190℃时效 190℃时效析出析出序列： α→θ”(G ·P ·Ⅱ) → θ’ →θ 偏聚区→过渡相→平衡相 Al-Cu合金脱溶规律： ① 时效硬化效应：t↑，HV↑，HVmaxt时，t↑，HV↓ ② 二次硬化：第一峰在GP区；第二峰在θ”+ θ’ ③ 脱溶贯序：偏聚区→过渡相→平衡相 ④ HVmax在θ”+ θ’并存，GP存在平台 ⑤ 成分、温度的影响：不同成分合金在不同温度下具有不同的 脱溶贯序 GP区：首先是由Guinier-Preston从时效过的Al-4%Cu合金单晶拍摄的劳厄照片中发现的 特征： 富溶质区 圆盘状 晶体结构与基体相同 与基体保持完全共格，并引起共格畸变 在α’分解初期形成，且形成速度很快， 通常均匀分布 在热力学上是亚稳态 二、沉淀相结构： GP区的形成条件： 在室温或低温下时效初期出现 是发生在固溶体晶格内的晶内过程，不形成新相， 取决于时效温度和合金成分 GP区的形核主要是依靠浓度起伏的均匀形核 ：可以由GP区演化而成，也可以直接从固溶体中析出 ：过去叫G P （Ⅱ）区，认为它也属于晶内过程，是溶质原子有序排列的微观区，现在倾向于是一种过渡相，有一定的晶体结构。 四方结构：a=b=4.04A, c=7.8A 与基体保持共格 成分接近CuAl2 在150左右便可出现 四方结构：a=b=4.04A, c=5.8A 与基体保持部分共格 成分接近Cu2Al3.6 圆盘状 与基体有一定的位向关系 四方结构：a=b=6.06A, c=4.78A 与基体形成非共格界面 成分CuAl2 不均匀地在晶界上形核 θ出现的时候合金的硬度已经下降 1、弹性应力场强化基体理论 （Mott-Nabarro理论） 沉淀粒子与基体间晶格错配引起的内应力场是强化源之一 三、强化机制： 2、浓度梯度强化理论 浓度梯度对位错运动产生附加阻力 （当刃位错与梯度方向一致，螺位错与梯度方向垂直） 3、第二相与位错交互作用理论 第二相粒子强化的应用： 1、有色合金：时效 2、钢：微合金化钢（V、Nb、Ti等），马氏体时效钢 3、P/M材料：弥散强化 4、颗粒增强金属基复合材料（PRMMC） 5、表面强化技术：C-N共渗、离子注入 6、电镀：合金电镀（Ni-P电镀形成Ni3P粒子） 分散电镀（细硬粒子与金属发生共沉积） 四、脱溶驱动力 脱溶驱动力：化学自由