《Chap1硅的晶体结构》-精选课件(公开).pptVIP

Chap 1 硅的晶体结构 自然界中的固态物质，简称为固体，可分为晶体和非晶体两大类。晶体类包括单晶体和多晶体。 集成电路和各种半导体器件制造中所用的材料，主要有以下三种：（1）元素半导体，如硅、锗；（2）化合物半导体，如砷化镓、磷化铟；（3）绝缘体，如蓝宝石、尖晶石。目前主要是硅、锗和砷化镓等单晶体，其中又以硅为最多，这是因为硅元素在自然界中的含量十分丰富，大约占地壳25%以上（按质量计算）。硅器件占世界上出售的所有半导体器件的90%以上。因此本章只讲硅晶体的有关特点。 1.1 硅晶体结构 1.???? 晶胞 晶体的重要特点是组成晶体的原子、分子、离子是按一定规则周期排列着。任一晶体都可以看作是由质点（原子，分子，离子）在三维空间中按一定规则做周期重复性排列所构成的。 (1)? 晶格：晶体的周期性结构称为晶体格子。 (2)? 单晶体：整个晶体是由单一的晶格连续组成。 (3)? 多晶体：晶体是由相同结构的很多小晶粒无规则地堆积而成。 (4)? 晶胞：能够最大限度地反应晶体对称性质的最小单元。 (5)? 各向异性：晶体在不同方向上的物理特性是不相同的。 2. 金刚石结构特点 （1）共价四面体： 硅由两套面心立方格子沿体对角线位移四分之一长度套构而成的。 一个原子在四面体的中心，另外4个同它共价的原子在正四面体的4个顶角上，这种四面体也称共价四面体。 （2）晶体内部的空隙 金刚石结构的另一个特点是内部存在着相当大的“空隙”。硅晶体内大部分是“空”的一些间隙杂质能很容易地在晶体内运动并存在于体内，同时对替位杂质的扩散运动提供了足够的条件。 1.2 晶向、晶面和堆积模型 1.晶向：表示一族晶列所指的方向。 2.晶列：晶格中的原子处在一系列方向相同的平行直线系上，这种直线系称为晶列。 3.[m1,m2,m3]晶向指数， 表示晶向族； (h1,h2,h3)晶面，{ } 表示晶面族 4.面心立方晶体结构是立方密堆积，（111）面是密排面。 5.?? 双层密排面的特点： (1)在晶面内原子结合力强，晶面与晶面之间距离较大，结合薄弱。 (2)两个双层面间，间距很大，而且共价键稀少，平均两个原子才有一个共价键，致使双层密排面之间结合脆弱。 6.??? 金刚石晶格晶面的性质： （1）由于{111}双层密排面本身结合牢固，而双层密排面之间相互结合脆弱，在外力作用下，晶体很容易沿着{111}晶面劈裂。这种易劈裂的晶面称为解理面。 （2）由{111}双层密排面结合牢固，化学腐蚀就比较困难和缓慢，所以腐蚀后容易暴露在表面上。 （3） 因{111}双层密排面之间距离很大，结合弱，晶格缺陷容易在这里形成和扩展。 （4）{111}双层密排面结合牢固，表明这样的晶面能量低。由于这个原因，在晶体生长中有一种使晶体表面为{111}晶面的趋势。 1.3 硅晶体中的缺陷 晶体中的缺陷有以下几种：点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷。 一、点缺陷 在各个方向上都没有延伸，包括：间隙原子、空位、肖特基缺陷、弗伦克尔缺陷和外来原子（替位式或间隙式）等。如图1.1所示。 图1.1. 晶格中的点缺陷和类型  1.4 硅中杂质 1.5 杂质在硅晶体中的溶解度 1.? 固溶体：当把一种元素B（溶质）引入到另一种元素A（溶剂）的晶体中时，在达到一定浓度之前，不会有新相产生，而仍保持原来晶体A的晶体结构，这样的晶体称为固溶体。 2.???固溶度：在一定温度和平衡态下，元素B能够溶解到晶体A内的最大浓度，称为这种杂质在晶体中的最大溶解度。 3.?固溶体分类：按溶质在溶剂中存在形式。 （1）替位式固溶体：溶质原子占据溶剂晶格格点上的正常位置，而且杂质原子在各点上的分布是无序的。 (2)间隙式固溶体：溶质原子存在于溶剂晶格的间隙中，其分布也是无规则的。 4.某种元素能否作为扩散杂质的一个重要标准： 看这种杂质的最大固溶度是否大于所要求的表面浓度，如果表面浓度大于杂质的最大固溶度，那么选用这种杂质就无法获得所希望的分布。 1.6 硅单晶体制备 多晶硅：晶格原子无规则排列。是制作单晶硅的原始材料。 一、多晶硅制备 1.???? 制备方法 2.???? 提纯 二、单晶硅的制备 成核和长大。 制备方法：直拉法（切克劳斯基法），悬浮区熔法 三、单晶硅性能的测试 1.???? 物理性质 2.???? 电气参数 导电类型,电阻率,非平衡少数载流子寿命测试 3.???? 缺陷检验 4.???? 杂质含量测试 四、硅单晶的加工及质量要求 1.? 切割（切片）：将半导体单晶按所需晶向切割成指定厚度的薄片 相关设备内圆切片机 多刀切割机 2.倒角：由于刚切下来的晶片外边缘很锋利，硅单晶又是脆性材料，为避免边角崩