第五章TOFD检测工艺参数的选择(2016年第一期).ppt

5.6 TOFD检测的主要步骤 步骤10：位置传感器校准与扫查增量设置 在检测前进行位置传感器校准：移动扫查装置一段距离，检查仪器所显示的位移与实际位移的误差 扫查增量的控制：扫查增量是指扫查过程中A扫信号间的采样间隔。通常设置为1mm，当工件厚度较大时，可适当增大 5.6 TOFD检测的主要步骤 步骤11：深度校准和盲区测试 深度校准：在工件上或用对比试块校准A扫描时基与深度的精度，深度测量误差一般不大于工件厚度的1%或0.5mm（取较大值） 对余高磨平的焊缝，可在对比试块上测试上表面盲区和底面盲区；对有余高的焊缝，其底面盲区应采用相同尺寸的模拟试块测定 5.6 TOFD检测的主要步骤 步骤12：扫查焊缝 检测时应保持扫查架平稳，探头应沿着扫查线移动 采用非平行扫查、偏置非平行扫查时行走路线与焊缝始终保持平行，不得偏斜 扫查速度要均匀 保证耦合良好 实时通过屏幕监视扫查效果，如发现直通波不直、耦合不良、数据丢失等异常情况，应重新扫查 按照工艺规定进行偏置非平行扫查、横向缺陷扫查等 5.6 TOFD扫查 步骤13：发现缺陷后的进一步探测 当可能存在的缺陷已经被检查出，应进行进一步的检测以获得缺陷更多的信息 可采取的方法包括：改变参数的非平行扫查、偏置非平行扫查、平行扫查或脉冲反射法超声检测 因为缺陷的大致位置已经知道，可针对缺陷改变探头设置，重新优化检测参数 也可采用射线检测复验 5.6 TOFD扫查 步骤14：检测过程中和检测结束时系统复核 检测过程中和检测结束时应进行复核 复核项目包括：灵敏度、深度、位置 复核应在初始设置和校准时采用的对比试块上进行 如直接在工件上进行灵敏度设置，则应在工件的同一部位复核 5.7 其它工艺参数的影响 1、温度 使用常规探头和普通耦合剂，检测时工件表面的温度应该在0~50℃之间 使用适当的耦合剂，可以在150 ℃高温下进行TOFD检测 当温度更高时，探头、楔块、电缆必须进行冷却保护仪器，还应使用适当的屏蔽或隔热物 目前探测的最高温度达300 ℃ 200~300 ℃范围探测，耦合剂非常重要，灵敏度会降低 如果灵敏度满足要求，可以通过一些手段将特殊探头永久黏在金属上，在更更高的温度下对缺陷进行长期监视 5.7 其它工艺参数的影响 2、耦合 常用的耦合剂是油或水 自动检测系统多使用水做耦合剂 在楔块上钻有一个孔提供水直接在楔块下形成耦合 在楔块侧面添加金属磨损条，可在楔块与工件间形成间隙（典型的为0.2mm）不仅可以避免探头的磨损，还有助于保持一定的耦合 由于楔块与工件金属表面技术之间存在干涉效应，0.2mm的间隙会使0.25和0.5倍波长的超声波损失掉 5.8 减少盲区的工艺措施 1、TOFD和脉冲反射法组合使用 一组或多组TOFD探头对整个焊缝进行检测 2个普通探头在特定位置用一次反射波对上表面盲区检测 2个普通探头在特定位置用直射波对下表面盲区进行检测 普通探头固定在扫查架上，随TOFD探头一起进行非平行扫查。仪器可记录全过程信号，获得D扫描图像 TOFD PE 450 or 600 SW PE 450 or 600 SW 5.8减少盲区的工艺措施 2、利用爬波检测上表面盲区 纵波以第一邻界角附近的角度从第一种介质入射到第二种介质，在第二种介质中不仅存在表面纵波，还存在符合自由边界条件的斜射横波。横波与纵波叠加后能量最集中的前沿称为爬波。 一次爬波的角度在75°~83°之间。 5.8减少盲区的工艺措施 工件内部的30°~35°横波在工件底部产生纵波和二次爬波。 爬波可对表面下10mm深度内的缺陷实施有效检测，但无法进行深度测量，无法区分咬边、焊沟与缺陷。爬波衰减快，晶片前30~40mm。 常用于内表面有堆焊层的检测。 5.8 减少盲区的工艺措施 3、双面检测 上表面盲区较大，常超过5mm，有时超过10mm 下表面盲区较小，焊缝中心部位的盲区只有0.5~1mm，底面轴偏离盲区也只有1~3mm。 其A扫、D扫图像中，深度不是线性的，深度方向上分辨力和测量精度也是变化的。 采用双面检测对减小盲区、提高分辨力和测量精度是非常有利的。 但工作量大幅增加。 5.8 减少盲区的工艺措施 4、改变扫查面减小上表面盲区 直通波是沿着最小路径传播而不是沿着工件表面传播 根据工件的几何形状选择合适的扫查面是减小盲区的简便有效方式之一 检测筒体纵焊缝时，从外表面扫查和从内表面扫查，上表面盲区和底面盲区是不一样的。检测筒体纵缝时，从内表面扫查，上表面盲区和底面盲区都比从外表面扫查盲区小。 5.8 减少盲区的工艺措施 5、磁粉和渗透检测 是对TOFD检测盲区的补充 恰当的磁粉检测工艺可检测出埋藏深度2~3mm缺陷，基本可解决下表面盲区，但对解决上表面盲区不够 渗透检测对表面不开口的缺陷无法检出 5.8 减少盲区的