2.1 电力电子器件概述
2.2 不可控器件——电力二极管
2.3 半控型器件——晶闸管
2.4 典型全控型器件
2.5 其他新型电力电子器件
2.6 功率集成电路与集成电力电子模块
本章小结
;引言;2.1 电力电子器件概述 ;2.1.1 电力电子器件的概念和特征;;■系统构成---控制电路;驱动电路;主电路;2.1.3 电力电子器件的分类; ■按照驱动信号的性质分类
◆电流驱动型
?通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通
或者关断的控制。;■按照载流子参与导电的情况分类
◆单极型器件
?由一种载流子参与导电。
◆双极型器件
?由电子和空穴两种载流子参与导电。
◆复合型器件
?由单极型器件和双极型器件集成混合而
成,也称混合型器件。 ;2.1.4 本章内容和学习要点;2.2 不可控器件—电力二极管;2.2 电力二极管·引言;A;2.2.1电力二极管的工作原理;2.2.1电力二极管的工作原理;2.2.1电力二极管的工作原理;2.2.2 电力二极管的基本特性;a);2.2.2 电力二极管的基本特性;2.2.3 电力二极管的主要参数;■正向压降UF
◆指电力二极管在指定温度下,流过某一指定的稳态正向电流时对应的正向压降。
■反向重复峰值电压URRM
◆指对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压。
◆使用时,应当留有两倍的裕量。;2.2.3 电力二极管的主要参数;2.2.4 电力二极管的主要类型;2.2.4 电力二极管的主要类型;2.2.4 电力二极管的主要类型;2.3 半控型器件——晶闸管;2.3 半控器件—晶闸管·引言;2.3 半控器件—晶闸管·引言;2.3.1 晶闸管的结构与工作原理;2.3.1 晶闸管的结构与工作原理;2.3.1 晶闸管的结构与工作原理;2.3.1 晶闸管的结构与工作原理;2.3.1 晶闸管的结构与工作原理;2.3.2 晶闸管的基本特性;2.3.2 晶闸管的基本特性;2.3.2 晶闸管的基本特性;2.3.2 晶闸管的基本特性;2.3.2 晶闸管的基本特性;2.3.2 晶闸管的基本特性;2.3.3 晶闸管的主要参数;2.3.3 晶闸管的主要参数;2.3.3 晶闸管的主要参数;2.3.3 晶闸管的主要参数;2.3.4 晶闸管的派生器件;2.3.4 晶闸管的派生器件;2.3.4 晶闸管的派生器件;2.3.4 晶闸管的派生器件;2.4 典型全控型器件;2.4 典型全控型器件·引言;2.4.1 门极???关断晶闸管;2.4.1 门极可关断晶闸管;2.4.1 门极可关断晶闸管;2.4.1 门极可关断晶闸管;2.4.1 门极可关断晶闸管;2.4.1 门极可关断晶闸管;2.4.1 门极可关断晶闸管;2.4.2 电力晶体管;2.4.2 电力晶体管;◆ GTR的结构
?采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构,并采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成。
? GTR是由三层半导体(分别引出集电极、基极和发射极)形成的两个PN结(集电结和发射结)构成,多采用NPN结构。;2.4.2 电力晶体管;2.4.2 电力晶体管;;2.4.2 电力晶体管;2.4.2 电力晶体管;2.4.2 电力晶体管;2.4.2 电力晶体管;2.4.2 电力晶体管;2.4.2 电力晶体管;2.4.3 电力场效应晶体管;2.4.3 电力场效应晶体管;2.4.3 电力场效应晶体管;2.4.3 电力场效应晶体管;2.4.3 电力场效应晶体管; ■电力MOSFET的基本特性
◆静态特性 (转移特性和输出特性)
?转移特性
√漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系,反映了输入电压和输出电流的关系
√ID较大时,ID与UGS的关系近似线性,曲线的斜率被定义为MOSFET的跨导Gfs,即
;2.4.3 电力场效应晶体管;2.4.3 电力场效应晶体管; ◆动态特性
?开通过程
√开通延迟时间td(on)
电流上升时间tr
电压下降时间tfv
开通时间 ton= td(on)+tr+ tfv
?关断过程
√关断延迟时间td(off)
电压上升时间trv
电流下降时间tfi
关断时间toff = td(off) +trv+tfi
;2.4.3 电力场效应晶体管;无少子储存效应;2.4.3 电力场效应晶体管;2.4.3 电力场效应晶体管;2.4.4 绝缘栅双极晶体管;2.4.4 绝缘栅双极晶体管;2.4.4 绝缘栅双极晶体管;
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