双极结型三极管及其放大电路.pptxVIP

《电子技术基础》模拟部分 （第六版）电子技术基础模拟部分1 绪论2 运算放大器3 二极管及其基本电路4 场效应三极管及其放大电路5 双极结型三极管及其放大电路6 频率响应7 模拟集成电路8 反馈放大电路9 功率放大电路10 信号处理与信号产生电路11 直流稳压电源 5 双极结型三极管及其放大电路5.1 BJT5.2 基本共射极放大电路5.3 BJT放大电路的分析方法5.4 BJT放大电路静态工作点的稳定问题5.5 共集电极放大电路和共基极放大电路5.6 FET和BJT及其基本放大电路性能的比较5.7 多级放大电路5.8 光电三极管5.1 BJT5.1.1 BJT的结构简介5.1.2放大状态下BJT的工作原理5.1.3 BJT的V-I 特性曲线5.1.4 BJT的主要参数5.1.5温度对BJT参数及特性的影响5.1.1 BJT的结构简介(a) 小功率管(b) 小功率管(c) 大功率管(d) 中功率管5.1.1 BJT的结构简介5.1.1 BJT的结构简介 半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型：NPN型和PNP型。 NPN型PNP型 5.1.1 BJT的结构简介 结构特点：? 发射区的掺杂浓度最高；? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。集成电路中典型NPN型BJT的截面图5.1.2 放大状态下BJT的工作原理 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。外部条件：发射结正偏 集电结反偏 由于三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管或BJT (Bipolar Junction Transistor)。 1. 内部载流子的传输过程发射区：发射载流子集电区：收集载流子基区：传送和控制载流子 （以NPN为例） IE=IB+ IC IC= ICN+ ICBO载流子的传输过程 ? 为电流放大系数。它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般? =0.9?0.99。2. 电流分配关系根据传输过程可知IE=IB+ IC IC= InC+ ICBO通常 IC ICBO载流子的传输过程根据 IC= InC+ ICBOIE=IB+ ICICEO= (1+ ? ) ICBO（穿透电流） ? 是另一个电流放大系数。同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? 1 。2. 电流分配关系且令3. 三极管的三种组态iCiEiEiCiBiB输出口输出口输入口输入口输入口输出口iC = ? iEiC = ? iBiE = (1+? ) iB共发射极接法，发射极作为公共电极，简称CE；共基极接法，基极作为公共电极，简称CB；共集电极接法，集电极作为公共电极，简称CC。若?vI = 20mV使?iE = -1 mA，当? = 0.98 时，则?iC = ? ?iE = -0.98 mA，4. 放大作用共基极放大电路?vO = -?iC? RL = 0.98 V，电压放大倍数5.1.2 放大状态下BJT的工作原理 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。实现这一传输过程的两个条件是：（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。（2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。+iCvCEciBb-+vBEe-VCCVBB共射极放大电路5.1.3 BJT的 I-V 特性曲线1. 输入特性曲线（以共射极放大电路为例） iB= f (vBE)?vCE=const(1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。(2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，收集载流子能力增强，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。 iB iB iBvBEvBEvBE5.1.3 BJT的 I-V 特性曲线1. 输入特性曲线(3) 输入特性曲线的三个部分①死区 ②非线性区③近似线性区 5.1.3 BJT的 I-V 特性曲线2. 输出特性曲线iC= f (vCE)?iB=const输出特性曲线的三个区域:饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， vBE小于死区电压。 (1) 共发射极直流电流放大系数 5.1.4 BJT的主要参数1. 电流放大系数 (2) 共发射极交流电流放大系数? ? =?IC/?IB?vCE=const (3