《第五章 MOS场效应管的特性》.pptVIP

闪烁噪声 闪烁噪声由沟道处二氧化硅与硅界面上电子的充放电引起的 其等效电压值表示为 增加栅长和宽，可以降低闪烁噪声 两点说明 有源器件的噪声特性对于小信号放大器、振荡器等模拟电路至关重要 所有的FET的1/f噪声都高出相应的BJT的1/f噪声约10倍。 5.4 MOSFET尺寸按比例缩小 为了提高器件集成度和性能，MOS管的尺寸迅速减小 为了在缩小器件尺寸的同时，同时保持大尺寸器件的电流-电压特性不变，Dennard等人提出了等比例缩小规律 等比例缩小规律即器件水平和垂直方向的参数以及电压按同一比例因子K等比例缩小，同时掺杂浓度按比例因子增大K倍，这就是经典的恒电场等比例缩小规律 等比例缩小方案： 恒电场 恒电压 准恒电压 恒电压缩减方案 参数 变化因子 备注 电压 1/α 电路密度 α2 L↓和W↓ 器件电流 1/α 功率 1/α2 Ids↓和Vds↓ 电容 1/α 沟道延迟 1/α 连线电阻 α 连线电容 1/α 连线响应时间 1 R↑且C↓ 优值 α2 ∝1/L2 MOSFET特征尺寸按α缩减的优点 电路密度增加到α2 功耗降低为1/α2 器件时延降低α倍?器件速度提高α倍 线路上的延迟不变 优值增加α2倍 未来的MOSFET 25 nm FINFET MOS transistor 5.5 MOSFET的二阶效应 随着MOS的尺寸缩小，出于精度要求必须考虑二阶效应 二阶效应主要有 L和W的变化 迁移率的退化 沟道长度的调制 短沟道效应引起的阈值电压的变化 狭沟道效应引起的阈值电压的变化 L的变化 L的变化 栅极长度L不等于原先版图上所绘制的Ldraw Lfinal=Ldraw-2ΔLpoly L=Ldraw-2ΔLpoly-2ΔLdiff 由于重叠效应，Cgs和Cgd也增加 W的变化 MOS场效应管的特性 上次课：第4章 集成电路器件工艺 §1.引言 §2.双极型集成电路的基本制造工艺 §3.MESFET工艺与HEMT工艺 §4.CMOS集成电路的基本制造工艺 §5.BiCMOS集成电路的基本制造工艺 第五章 MOS场效应管的特性 §1. MOSFET的结构和工作原理 §2. MOSFET的寄生电容 §3. MOSFET的其它特性 3.1 噪声 3.2 温度 3.3 体效应 §4. MOSFET尺寸按比例缩小 §5. MOSFET的二阶效应 5.1 MOSFET的结构和工作原理 集成电路中，有源元件有BJT、HBT、PMOS、NMOS、MESFET和HEMT 鉴于当前大多数集成电路采用CMOS工艺制造，掌握NMOS和PMOS两种元件特性对设计集成电路具有重要意义 MOS管结构 MOS管－符号和标志 D S G D S G G S D D S G NMOS Enhancement NMOS PMOS Depletion Enhancement B NMOS with Bulk Contact MOS管工作状态 MOS管特性推导 栅极电压所感应的电荷Q为 这些电荷在源漏电压VDS作用下，在t时间内通过长度为L的沟道，即 通过MOS管源漏间的电流为 MOS管特性推导 当Vgs－VT＝Vds时，近漏端的栅极有效控制电压Vge＝ Vgs－VT－Vds＝0，感应电荷为0，沟道夹断，电流不会增加，此时Ids为饱和电流。 MOS管饱和时 MOS管的IV特性曲线 0 0.5 1 1.5 2 2.5 0 1 2 3 4 5 6 x 10 -4 V DS (V) I D (A) VGS= 2.5 V VGS= 2.0 V VGS= 1.5 V VGS= 1.0 V Resistive Saturation VDS = VGS - VT 阈值电压VT 阈值电压是MOS器件的一个重要参数 阈值电压VT是将栅极下面的Si表面反型所必要的电压，这个电压与衬底浓度有关 按MOS沟道随栅压变化形成或消失的机理，存在两种类型的MOS器件 耗尽型：沟道在VGS＝0时已经存在，VT≦0 增加型：沟道在VGS＝0时截止，当VGS“正”到一定程度时才导通。 VT0 阈值电压VT表达式 经过深入研究，影响VT的因素主要有四个： 材料的功函数之差 SiO2层中可移动的正离子的影响 氧化层中固定电荷的影响 界面势阱的影响 阈值电压VT 在工艺确定之后，阈值电压VT主要决定于衬底的掺杂浓度： P型衬底制造NMOS，杂质浓度越大，需要赶走更多的空穴，才能形成反型层， VT值增大，因而需要精确控制掺杂浓度 如果栅氧化层厚度越薄，Cox越大，电荷的影响就会降低。故现在的工艺尺寸和栅氧化层厚度越来越小 5.2 MOSFET的电容 MOS电容结构复杂，最上面是栅极电极，中间是SiO2和P型衬底，最下面是衬底电