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第 26卷 第 8期 电 子 元 件 与 材 料 V ol.26 No.8 2007年 8月 ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS Aug. 2007
Ba 5(Nb1– x Sb x 4O 15微波介电陶瓷的低温烧结
张 冲 1,肖 芬 2,邱 虹 1,熊兆贤 1
(1. 厦门大学 化学化工学院 材料科学与工程系, 福建 厦门 361005; 2. 厦门大学 物理系, 福建 厦门 361005
摘要 : 添加质量分数为 1%的 H 3BO 3为助烧剂。研究了 Ba 5(Nb1– x Sb x 4O 15 (0≤ x ≤ 0.2 陶瓷的烧结特性、显微结 构和微波介电性能。结果表明:当 x ≤ 0.15时,该类陶瓷可在 900℃ 附近烧结,并伴有少量 BaSb 2O 6和 BaB 2O 4相; 随着 x 从 0增加到 0.2, εr 和 τf 均有较大幅度下降; Q ·f 先升后降。在 900℃ 烧成温度下, x 为 0.15的陶瓷获得较好 的微波介电性能:εr 为 29.21, Q ·f 为 13 266 GHz, τf 为 11×10–6 ℃ –1,并能与 Ag 电极很好相容,基本满足 LTCC 工艺的要求。
关键词 :无机非金属材料;微波介电性能; Ba 5(Nb1– x Sb x 4O 15;低温共烧 (LTCC
中图分类号 : TQ174.
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