应用遗传算法实现MOS器件综合.PDFVIP

第 卷第 期 半 导 体 学 报 ! # ’!( ’# $% )% 年 月 !**! # ’(!**! +,-)./.0123)4516/.7-+1)82+913/ 0:; 应用遗传算法实现MOS器件综合 谢晓锋 李 钊 阮 骏 姚 依 张文俊 杨之廉 清华大学微电子学研究所 北京 I ( #***CAJ 摘要 研究了将遗传算法应用于器件综合问题 针对参数化的器件空间设计了相应的适应度函数和遗传算子 可用 K ( ( 来得到器件的可行设计空间及研究参数对器件性能的影响 对 器件的综合设计研究结果显示了本方法的 ’ 6-L71/ 有效性’ 关键词 器件综合 器件参数化表示 遗传算法 K M M K!?* M##C*MA#* NNOPP 4 8 中图分类号K A 文献标识码K 文章编号K*!?@A#I!**!J*#@**=?@* 9) 4 望的电学性能来得到可行的设计空间 是 应 ( 9+48 Q 引言 用的一个重要步骤’ 本文通过搜索算法开发设计空间来实现综合( 随着半导体器件尺寸的缩小 新器件结构的出 但由于特性空间复杂是高度非线性的 没有显式的 R ( 现和沟道非均匀掺杂 器件特性空间变得越来越复 公式可以表达 使得基于函数梯度的算法不能应用 ( ( 先前的解析模型S#(!T 杂( 不再能有效地模拟器件特 在这个领域 而遗传算法 ’ I ( YV;V‘XE:Y%]X‘a_W 性 在开发新器件方面 更多的是基于数值模拟 为 ST ’ ( ’ f4J 是一种基于群体的模拟自然遗传机制的启发 得到所期望的器件特性 如果依赖手工调整参数 即 式的随机搜索方法 可以解决复杂的大尺度 多变量 ( ( ( R 使设计者有较好的