《晶圆级三维系统集成技术》.docVIP

晶圆级三维系统集成技术 三维集成系统正在快速增长，它涉及众多不同技术新兴领域，目前已出现诸多大有希望应用于三维集成的新技术。本文将对其中的一项技术进行系统介绍。为了实现三维结构的体积最小化和具有优良电性能的高密度互连，我们将采用穿硅通孔（TSV）用于晶圆级堆叠器件的互连。该技术基本工艺为高密度钨填充穿硅通孔，通孔尺寸从1μm到3μm。用金属有机化学汽相淀积（MOCVD）淀积一层TiN薄膜作为籽晶层，随后同样也采用CVD工艺淀积而成的钨膜的扩散势垒层即可实现具有大纵宽比（HAR）ICV的金属填充。堆叠器件的未来应用还需要铜填充TSV以优化电学性能。所谓的ICV-SLID技术可用于制作三维器件的堆叠。这项工艺非常适合应用于产品的低成本高效率生产，包括高性能应用，如三维微处理器和高度小型化的多功能系统，传感器之间的节点、存储器数据处理与传输（eGrainsTM, eCubesTM）等。 推动三维系统集成技术发展的关键因素从总体上看，加速三维集成技术应用于微电子系统生产的重要因素包括以下几个方面：? 系统的外形体积：缩小系统体积、降低系统重量并减少引脚数量的需求，? 性能：提高集成密度，缩短互连长度，从而提高传输速度并降低功耗，? 大批量低成本生产：降低工艺成本，如混合技术等，? 新应用：如超小无线传感器系统等。与系统芯片（SoC