负载不匹配时异质结双极晶体管功率放大器的射频特征.doc

负载不匹配时异质结双极晶体管功率放大器的射频特征 摘要——我们提出了在负载不匹配条件下的锗硅异质结双极晶体管功率放大器射频特性。实验结果描述了功率放大器的不匹配天线负载的相位与射频特性的强依赖性。不匹配负载的电压驻波比（VSWR）为10：1，1dB射频功率的输出,传输增益为GT，输出三阶截断点，功率有效性的增加分别为:7.5dBm,8.1dB,8.3dB,15%。在最佳和最坏的阶段，异质结双极晶体管功率放大器的偏置在Vcc=3.3V，集电极的电流ICE=400mA，频率为1.88GHz。在最佳相位条件下达到10：1的电压驻波比，异质结双极晶体管功率放大器维持他的线性，射频输出功率，增益和有效性的电压驻波比接近于1:1。在所有的非最佳阶段，随着不匹配负载的幅度增加，射频性能也恶化。不匹配负载条件下功率放大器的非线性特性由于幅度和相位失真造成的。 关键词：天线，失真，线性，负载，不匹配，相位，功率放大器(PA),异质结双极晶体管，电压驻波比（VSWR），无线 Ⅰ 引言 现在的移动无线标准如码分复用（CDMA）-IS95和宽带码分复用（W-CDMA）使用非恒定的包络调制方案，并且提出无线系统中功率放大器的非线性的硬性要求。异质结双极晶体管技术成为可行的解决办法，高频的无线功率放大器和收发器由于他们的高线性，高电流增益，低噪声和与CMOS的兼容性【1】-【3】。异质结双极晶体管的射频线性特性利用Volterra 级数和电荷控制理论【5】，然而负载和资源匹配对相位失真和线性的影响在【6】中分析。异质结双极晶体管功率放大器的优化匹配网络的输入和输出将在【6】中进一步讨论。然而，异质结双极晶体管在负载不匹配条件下的线性还没有研究。 在天线中无线设备遇到不匹配的阻抗，信号从周围反射。由于天线的不匹配和功率放大器线性，射频输出功率和有效性【7】，【8】的减弱，射频的功率被反射回功率放大器。传统上，隔离器被放置在功率放大器和天线之间，这保护了输出的功率接收机中大电压和电流的流动，并且提高了在负载不匹配条件下的功率放大器的线性。然而，隔离器很笨重，并且是很昂贵的手提设备，减小了传输的功率。因此，目标是为线性功率放大器提出隔离器模型。以前负载不匹配的工作集中在功率晶体管的特性和控制电路上，以保护晶体管的阻抗不匹配 【9】【10】。异质结双极晶体管被认为足以用来处理由于大电压造成的负载不匹配【11】【12】。电路技术已经发展到可以提高功率放大器在天线不匹配时的线性【7】【13】。然而，对于通信链路来说低的驱动水平减小了输出功率。协调电路被放置在收发器和天线之间以使发送机的匹配负载为50欧姆，即使实际的天线则抗是不匹配的。这些阻抗协调器是简单的π型或者T型网络，在遗传算法的基础上获得高速的阻抗变换【14】【17】。为了提高在不匹配条件下功率放大器的性能，必须了解射频的输出功率，线性，传输增益，增加的功率有效性，功率放大器电压。 这篇文章对负载阻抗不匹配，射频输出功率，线性，传输增益，击穿电压做了系统的分析。每个负载的电压驻波比，当功率放大器输出的负载反射系数的相位从0度变为360度，线性，射频输出功率，增益，效率从最佳值到最差值。在所有的相位条件下，射频性能快速下降。射频性能随着电压驻波比幅度的增加而下降。在阻抗不匹配条件下功率放大器相位匹配是明显的。细节的调查显示了振幅和相位失真机制导致在负载不匹配条件下功率放大器的非线性。 第二部分描述了负载匹配时的功率放大器的射频参数。异质结双极晶体管的强度被深入探 讨。第三部分展示了负载不匹配下异质结双极晶体管测量的射频性能。第四部分对于射频性能和与之相关的负载匹配的变化进行了仔细的分析。时域分析是为了描述在阻抗不匹配时的非线性机制。最后，在负载不匹配时异质结双极晶体管的测量结果在第五部分被描述。在这篇文章中，术语“VSWR”总是表示低的电压驻波比。 Ⅱ.天线的不匹配 A. 天线的阻抗 无线通信设备中天线的输入阻抗受其临近物体的影响。耦合天线周围物体的的辐射场改变了天线的输入阻抗，从其标称值的50欧姆改变【18】。这导致了天线与传输线（匹配网络）之间的输入阻抗不匹配。由于这个阻抗的不匹配，射频功率被反射回发射机。就像表格1中显示的，反射的功率高达发送功率的36%,当他的输入阻抗与4：1的电压驻波比的幅度不匹配时，通过天线的传输损耗是2dB. B. 功率放大器的性能 功率放大器是决定线性，有效性和从发射链发送的功率的关键元件。由于天线的不匹配，反射的功率流直接返回到功率放大器，并且比起天线自身的损耗来说对性能的影响更为重要。图1示出了功率放大器与天线负载ZL相连的输出阶段。当负载的阻抗（或者负载反射系数Γm）改变，有效的阻抗Zm（反射系数Γm）可以从发射机的集电极看出， 这里【Z】是功率放大器输出匹