半导体物理特性.pptVIP

半導體物理特性 電子學的發展 1.真空管時期:始自1904年,第一代電腦 2.電晶體時期:始自1947年,第二代電腦 3.積體電路時期:始自1958年,第三代電腦 真空管 電晶體 積體電路 積體電路IC的演進 原子的結構 各能層名稱與電子數 價電子－原子結構最外層的電子。 自由電子－脫離軌道而自由活動的電子。 依導電能力可把物質區分為 a. 導體（最外層電子數少於4個） b. 絕緣體（最外層電子數多於4個） c. 半導體（最外層電子數等於4個） 半導體晶格結構 半導體材料：鍺、矽、砷化鎵 在化學元素中，原子最外層軌道上的電子，我們稱之為價電子，而常用的半導體材料為矽和鍺最外層軌道都具有四個價電 子。每一原子為了保持電性及化學特性最穩定狀態，最外層的每個價電子與鄰近的原子共有，這成對的電子稱為共價鍵 三價元素：硼、鎵、銦等物質 四價元素：鍺、矽等物質 五價元素：磷、砷、銻等物質 價電子－原子結構最外層的電子。 自由電子－脫離軌道而自由活動的電子。 依導電能力可把物質區分為 a. 導體（最外層電子數少於4個） b. 絕緣體（最外層電子數多於4個） c. 半導體（最外層電子數等於4個） 材料的導電性是由「傳導帶」中含有的電子數量決定。當電子從「價帶」獲得能量而跳躍至「導電帶」時，電子就可以在帶間任意移動而導電。 自由電子數的多寡決定物質導電性的良窳。 電子流：在純矽、鍺晶體施加電壓，則在導電帶將會產生自由電子而在晶體結構中自由移動，於是很容易被吸引往正電壓移動，這種因自由電子的移動而行程的電流稱為電子流。 電動流：價電層上存著因電子離開所留下電洞，且留在價電層的電子仍然受到園子的束縛而無法向自由電子ㄧ般在晶體結構中自由移動，但鄰近的價電子只需要ㄧ點點能量就能移入鄰近的電洞而形成電動流 半導體的摻雜 純半導體的導電性並不好，除了在做特殊的偵測器外，用途不多。半導體可以利用加入特殊雜質的方式，調整他的導電載體種類及濃度，這個過程稱做摻雜。 P型半導體 1.在矽或鍺中摻雜三價元素即成為P型半導體。 2.三價元素(硼、鎵、銦)又稱為受體。 3.多數載子為電洞，少數載子為電子。 二極體的結構 (1)Ｐ型半導體與Ｎ型半導體接合後便成為二極體。在剛接合時，接面處電子與電洞相結合，造成在靠近接面處的Ｎ型半導體失去電子後變成正離子，而Ｐ型半導體失去電洞後變成負離子，此時正離子排斥電洞，負離子排斥電子，因而阻止了電子與電洞繼續結合，達到平衡狀態。 (2)在Ｐ－Ｎ接面附近，有一區域沒有自由載子，只有帶正負電的離子，此區域稱之為障壁電位，一般而言鍺的 為０．２Ｖ，而矽為０．６Ｖ。 二極體的特性 溫度每上升1 ℃ ，VD下降2.5mV。 矽二極體溫度每上升10℃，ICBO增加1倍。 鍺二極體溫度每上升6℃，ICBO增加1倍。 理想二極體 (1)順向偏壓時Rf→0Ω形同短路 (2)逆向偏壓時Rf→∞形同開路 二極體計算 二極體加順向偏壓時 二極體加逆向偏壓時 * N型半導體 1.在矽或鍺中摻雜五價元素即成為N型半導體。 2.五價元素(磷、砷、銻)又稱為施體。 3.多數載子為電子，少數載子為電洞。