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【n沟道MOSFET工作在各个区域的电流方程】 n沟道MOSFET工作在各个区域的电流方程 要分析MOSFET的电流电压在各种偏置下的关系曲线，需要做许多近似以便使问题简化。如果没有这些简化，分析实际的三维MOS系统将是一项十分复杂的任务，甚至会得不到电压-电流方程的闭合形式。下面我们将应用渐变沟道近似（GCA）方法来建立MOSFET的电流电压关系。在进行电流分析之前，先观察n沟道的MOSFET工作在线性模式的剖面图。这里源极和衬底都与地相连。 在进行电流分析之前，先观察n沟道的MOSFET工作在线性模式的剖面图。这里源极和衬底都与地相连。栅-源电压（VGS）和漏-源电压（VDS）是控制漏极电流ID 的外部参数。栅-源电压应比阈值电压VT0 高，以便产生漏极与源极之间的传导反型层。 x方向垂直于表面层，向下指向衬底，y方向与表面层平行。y方向的起始点（y=0）在源极沟道的末端。 根据上面的一维模型，沟道（漏极）电流ID是在源极与漏极之间的区域沿y坐标方向流动的。 栅-源电压（VGS）和漏-源电压（VDS）是控制漏极电流ID 的外部参数。栅-源电压应比阈值电压VT0 高，以便产生漏极与源极之间的传导反型层。x方向垂直于表面层，向下指向衬底，y方向与表面层平行。y方向的起始点（y=0）在源极沟道的末端。根据上面的一维模型，沟道（漏极）电流ID是在源极与漏极之间的区域沿y坐标方向流动的。 利用边界条件对沟道漏电流进行积分，最终可得线性区的漏极电流为：这个公式表示漏极电流ID 为两个外加电压VGS 和VDS 的简单二次函数。这个电流方程也可以重新写为：除了工艺变量κ’和VT0 外，器件尺寸也影响电流-电压关系。事实上，在MOSFET数字电路设计中，宽长比 W/L 是最重要的参数之一。现在我们必须确定这个方程的适用范围以及它在实际应用中的含义。 利用边界条件对沟道漏电流进行积分，最终可得线性区的漏极电流为： n沟道MOSFET工作在各个区域的电流方程 这个公式表示漏极电流ID 为两个外加电压VGS 和VDS 的简单二次函数。 这个电流方程也可以重新写为： 或 参数k和k’的定义为 除了工艺变量κ’和VT0 外，器件尺寸也影响电流-电压关系。事实上，在MOSFET数字电路设计中，宽长比 W/L 是最重要的参数之一。 现在我们必须确定这个方程的适用范围以及它在实际应用中的含义。 一个n沟道MOS晶体管的μn = 600cm2/V·s，Cox = 710-8F/cm2，W = 20 μm，L = 2 μm，并且VT0 = 1.0V，求其端电压与漏极电流的关系。为了确定漏-源电压和栅-源电压对漏极电流的影响，我们以绘图方式表示在不同VGS（常量）值时ID 与VGS 的函数关系，很容易看到，上面绘出的电流-电压二次方程对不同的VGS 常量是一系列反抛物线。 n沟道MOSFET工作在各个区域的电流方程 举例： 一个n沟道MOS晶体管的μn = 600cm2/V·s，Cox = 710-8F/cm2，W = 20 μm，L = 2 μm，并且VT0 = 1.0V，求其端电压与漏极电流的关系。 首先计算参数κ： 现在电流-电压方程可以写为： 为了确定漏-源电压和栅-源电压对漏极电流的影响，我们以绘图方式表示在不同VGS（常量）值时ID 与VGS 的函数关系，很容易看到，上面绘出的电流-电压二次方程对不同的VGS 常量是一系列反抛物线。 n沟道MOSFET工作在各个区域的电流方程 图所示的漏极电流-漏极电压曲线在VDS = VGS–VT0时达到峰值。超过这个最大值时，在实际的MOSFET电流-电压测量值（用虚线表示的部分）中，我们观察不到每个曲线所反映出的负的微分电导。现在我们必须记住漏极电流方程是根据以下的电压假设下推导出来的，即： 这两个假设保证了位于源极和漏极之间的整个沟道区工作在反向偏置状态。超过了线性区的边界条件，即VDS的值大于VGS-VT0，MOS晶体管将假设工作在饱和状态，对于工作在这个区的MOSFET，需要另一个不同的电流电压方程来描述。 图所示的漏极电流-漏极电压曲线在VDS = VGS–VT0时达到峰值。超过这个最大值时，在实际的MOSFET电流-电压测量值（用虚线表示的部分）中，我们观察不到每个曲线所反映出的负的微分电导。现在我们必须记住漏极电流方程是根据以下的电压假设下推导出来的。 这两个假设保证了位于源极和漏极之间的整个沟道区工作在反向偏置状态。超过了线性区的边界条件，即VDS的值大于VGS-VT0，MOS晶体管将假设工作在饱和状态，对于工作在这个区的MOSFET，需要另一个不同的电流电压方程来描述。 当超过线性区/饱和区边界时，即对于： 当超过线性区/饱和区边界时，线性区的电流方程是不适用的。同样，漏极电流在VGS 为常