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硅工艺简易笔记 第二章 氧化 SiO2作用： a.杂质扩散掩蔽膜和离子注入屏蔽膜 b.器件表面保护或钝化膜 c. MOS电容的介质材料 d. MOSFET的绝缘栅材料 e. 电路隔离介质或绝缘介质 2.1 SiO2的结构与性质 Si-O4四面体中氧原子： 桥键氧——为两个Si原子共用，是多数； 非桥键氧——只与一个Si原子联结，是少数； 无定形SiO2网络强度：与桥键氧数目成正比，与非桥键氧数目成反比。 2.2.1 杂质在SiO2中的存在形式 1.网络形成者：即替位式杂质，取代Si，如B、P、Sb等。其特 点是离子半径与Si接近。 Ⅲ族杂质元素：价电子为3，只与3个O形成共价键，剩余1 个O 变成非桥键氧，导致网络强度降低。 Ⅴ族杂质元素：价电子为5，与4个O形成共价键，多余1个 价电子与附近的非桥键氧形成桥键氧，网络强度增加。 2.网络改变者：即间隙式杂质，如Na、K、Pb、Ca、 Ba、Al等。 其特点是离子半径较大，多以氧化物形式掺 入；结果使非桥键氧增加，网络强度减少。 2.2.2 杂质在SiO2中的扩散系数 扩散系数:DSiO2=D0exp(-Δ