半导体量子阱和超晶格.ppt

前节内容提要 突变同型异质结 同型异质结在窄禁带一边形成多子积累，而另一边多子耗尽.注意积累层和耗尽层的能带弯曲方向不同。 §6.3 半导体量子阱和超晶格 (一) 基本概念 二、量子阱和超晶格的组成与结构 1、结构特征 * 理想异质结 (1)突变反型异质结能带图 特征：自建电场不连续，能带突变，尖峰与凹口 电子和空穴势垒高度不同，不等于能带总弯曲量 qVd=W1－W2 关于“能带总弯曲量就是真空电子能级的弯曲量” 改为“能带总弯曲量仍等于二者功函数之差” 举例：计算由同为金刚石型结构的两块半导体构成的异质结的悬挂键密度，其界面为(111)晶面。 (111)晶面为正三角形，面积是(√3a2)/2，a为晶格常数。包含在这个面中的键数为2，所以晶面(111)的键密度是4/(√3a2)。 对晶格常数分别为a1和a2（a1＜a2)的两块半导体形成的异质结，其悬挂键密度对(111)面为 同理，对(110)晶面为 对 (100)晶面为 与前面两章讨论的情况相似，当金刚石结构晶体的表面态密度达到1×1013m-2以上时，整个系统的费米能级即被“钉扎”在位于EV之上约1/3禁带宽度的表面费米能级处。于是， 对于n型半导体，悬挂键起受主作用，表面附近能带向上弯曲； 对于p型半导体，悬挂键起施主作用，表面附近能带向下弯曲。 高密度界面态使异质结界面两侧的能带情况