Co掺杂ZnO的快中子辐射损伤研究.docVIP

第33卷 第7期 核 技 术 Vol. 33, No.7 2010年7月 NUCLEAR TECHNIQUES July 2010 Co掺杂ZnO的快中子辐射损伤研究 王云波 李公平 李天晶 高行新 （兰州大学核科学与技术学院 兰州 730000） 摘要 用中子发生器上D-D反应的2.5 MeV中子辐照Co掺杂ZnO和对照样品纯ZnO单晶。室温下测量了样品的X射线衍射谱、光致发光谱和透射光谱。结果表明，快中子辐照后的纯ZnO单晶中引入了氧空位(VO)和氧错位(OZn)缺陷，且有少量的锌填隙(Zni)和氧填隙(Oi)缺陷。Co掺杂ZnO中存在的Co以及钴氧化物纳米团簇由于快中子轰击而分解消失。快中子与替代Zn2+的Co2+的碰撞导致大量的Co2+离开ZnO晶格点位，导致中子辐照后的所有样品依然呈纤锌矿结构并沿c轴高度择Co掺杂ZnO中引入钴填隙杂质和锌空位(VZn)缺陷。 优取向。表明纯ZnO和掺Co氧化锌半导体材料具有良好的抗辐照性能，在空间器件方面具有应用潜力，且有助于在ZnO点缺陷方面的研究。 关键词 ZnO单晶，Co掺杂的ZnO，快中子辐照，缺陷 中图分类号 O483 ZnO属II-VI族宽禁带直带隙化合物半导体，熔点1975℃，块体单晶在室温下禁带宽度为3.3 eV [1] ，激子束缚能为60 MeV(远大于室温热离化能26 MeV)，热稳定晶体结构为六角晶系纤锌矿结构，晶格常数为a0=0.32495 nm，c0=0.52069 nm。作为本征n型半导体材料，ZnO是近年来的研究热点，其在大气中不容易被氧化，具有高的热稳定性和化学稳定性，并具有优异的光学、电学及其它物理性能，能广泛应用于短波长发光器件、压敏电阻器、透明大功率电子器件、表面声波器件、压电转换器、气敏传感器以及太阳能电池窗口材料等领域，是实现 室温铁磁性稀磁半导体(DMS)的重要候选材料[2–3]。 ZnO晶体具有优于GaN、Si、GaAs和CdS等 可应用于高辐射的太半导体材料的抗辐射性能[4–6]， 空环境。但是，ZnO中的缺陷会影响其光学、电学及其它物理性能，这也是人们关注的焦点。利用高能电子束[5–9]、质子[10]以及重离子[11]辐照ZnO的实验结果表明，样品中引入的主要缺陷为氧空位(VO)、锌填隙(Zni)、锌空位(VZn)以及氧填隙(Oi)或氧错位(OZn)等负离子性缺陷与点缺陷聚合形成的复合缺陷，然而其缺陷引入率远低于其他半导体，且消除ZnO中引入缺陷所需的退火温度也较低。 关于ZnO的中子辐照研究报道，目前尚不多。Leutwein等[12]用反应堆快中子(注量1017/cm2)辐照ZnO单晶，测量样品的电子自旋共振(ESR)，发现 —————————————— 在室温及室温以上对ZnO进行快粒子辐照会引入氧离子单空位，但未观测到锌离子单空位，认为此系其热移动与氧空位或杂质离子发生结合而导致。 我们曾对ZnO单晶进行Co+离子注入，用超导量子干涉仪(SQUID)观测到Co掺杂样品呈现出室温铁磁行为[13]。本研究在强流中子发生器上利用D-D反应的2.5 MeV中子辐照Co掺杂ZnO，用X射线衍射谱(XRD)、光致发光谱(RT-PL)和透射光谱(TS)研究样品的辐射损伤。 1 材料和方法 所用样品为MaTecK-Material-Technologie Kristalle GmbH(德国)用水热法生长的ZnO(0001)单晶，尺寸10 mm×10 mm×0.5 mm。对它们进行80 keV +14 注量分别为1×10、5×1016和1×1017 Co离子注入， 退火温度为700℃，氛围为氩气，时间~10 min。cm–2， 将纯ZnO单晶与上述Co掺杂ZnO样品叠放在一起，用铝箔包裹，在兰州大学ZF-300-II强流中子发生器上进行快中子辐照。中子发生器利用D-D反应，工作电压分别为220、240 kV，入射氘核平均能量分别为110、120 keV。中子能量为2.5 MeV，样品表面与入射束成45°角，与中子源的平均距离为~3.3 cm，样品的累计中子注量为2.86×1010 cm–2。2.5 MeV中子其与样品原子核的核反应截面极小，辐照样品的NaI γ能谱为本底水平。 国家自然科学基金项目、兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室开放课题(MMM200827)、教育部留学回国人员科研启动基金 第一作者：王云波，男，1984年出生，最高学历，现为兰州大学粒子物理与原子核物理专业在读硕士研究生 通讯作者：李公平 收稿日期：2010-01-13，修回日期：2010-03-15 第7期 王云波等：Co掺杂ZnO的快中子辐射损伤研究 527 用D/Max-2400型粉末X射线衍射仪(日本Rigaku公司)进行XRD测定，用Cu