第三章集成电路制造工艺.pptxVIP

集成电路制造工艺;§ 3.1 硅平面工艺 § 3.2 氧化绝缘层工艺 § 3.3 扩散掺杂工艺 § 3.4 光刻工艺 § 3.5 掩模制版技术 § 3.6 外延生长工艺 § 3.7 金属层制备工艺 § 3.8 隔离工艺技术 § 3.9 CMOS集成电路工艺流程;集成电路的核心是半导体器件 包括：电阻 电容 电感 二极管 三极管 结型场效应晶体管 MOS场效应晶体管....... 不同类型的半导体区域和它们之间一个或多个PN结组成;1950年，合金法制备的晶体管即合金管或台面管 ;1955年，发明扩散技术，扩散能够精确控制;1960年，硅平??工艺是半导体器件制造技术最重要的里程碑。;;;§ 3.2 氧化工艺;对扩散杂质起掩蔽作用 可作为MOS器件的绝缘层，栅极氧化层 用作集成电路中的隔离介质和绝缘介质。 作为集成电路中的电容器介质。 对器件表面起保护钝化作用。因半导体表面态对器件的影响非常大，采用氧化层保护可防止环境对器件的污染。 ; SiO2 的基本性质 晶体结构： 结晶型(石英玻璃) 非晶态 半导体器件生产所用的SiO2 薄膜属于非晶态结构。 物理性质 惰性材料，在室温相当宽的范围内，性能十分稳定；电阻率非常高，热氧