化学气相沉积(中文版)(最新修正版）课件.pptVIP

浅沟槽绝缘(STI) 成长衬垫氧化层沉积氮化硅 蚀刻氮化硅，氧化硅与硅基片 成长阻挡氧化层 CVD USG 沟槽填充 CMP USG USG 退火 Si Si Si Si Si 剥除氮化硅与氧化硅 USG USG USG Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm * 浅沟槽绝缘 (STI) Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm * 侧壁空间层形成 基片 多晶硅栅极 二氧化硅 基片 多晶硅栅极 二氧化硅侧壁空间层 Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm * 金属沉积前的介电质层(PMD) PMD:金属沉积前的流平层 为降低流平温度，PMD一般为掺杂的氧化物PSG或BPSG PSG(掺磷SiO2,即磷硅玻璃)： 可减少硅玻璃的加热回流温度,可以形成更为平坦的表面. BPSG (在PSG基础上掺硼形成的硼磷硅玻璃) ：可以进一步减低回流的圆滑温度而磷的浓度不会过量 Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm * PSG在摄氏1100 °C, N2气氛中退火 20分钟回流圆滑情形 0wt% 4.6wt%