第1章半导体器件-精选课件(公开).pptVIP

第1章 半导体器件 1.1 半导体的基本知识 1.2 PN 结与二极管 1.3 半导体三极管 1.4 场效应管 1.1.2 杂质半导体 　在本征半导体硅或锗中掺入微量的其它适当元素后所形成的半导体。根据掺杂的不同，杂质半导体分为： 　N型半导体：在纯净半导体中掺入微量的五价元素（如磷、砷）后形成． 　P型半导体：在纯净半导体中掺入微量的三价元素（如硼）后形成。 N型半导体 P 型半导体 思考： N型半导体中的自由电子多于空穴 P型半导体中的空穴多于自由电子 是否N型半导体带负电，而P型半导体带正电？ PN 结具有单向导电性 二极管导通电路 限幅电路 限幅电路是限制输出信号幅度的电路。书例1.2 稳压二极管的主要参数 发光二极管、光电二极管、光电耦合器 1.发光二极管：有正向电流流过时，发出一定波长范围的光。 2.光电二极管：光照增强时，外加反偏压作用下，反向电流增加。 3.光电耦合器：如果把发光二极管和光电二极管组合构成二极管型光电耦合器件。 §1.3 半导体三极管 基本结构 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 主要参数 1. 电流放大系数有，? 练习1： 测得某放大电路中三极管的三个电极A,B,C的对地电位分别为VA=-9V,VB=-6V,VC=-6.2V,试分析A、B、C中那个是基极b，发射极e，集电极c，并说明此三极管是NPN管还是PNP管，硅管还是禇管。 半导体三极管的类型 NPN（硅管多） PNP（锗管多） B E C IB IE IC B E C IB IE IC 注意：三极管的符号短粗线代表基极,发射极的箭头方向,即发射极电流的实际方向。 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: 1）三电极电流关系 IE = IB + IC 2） IC ?? IB ， IC ? IE 3） ? IC ?? ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件。 3.三极管内部载流子的运动规律 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 　进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 三极管的电流分配关系动画演示 3. 三极管内部载流子的运动规律 IC = ICE+ICBO ? ICE IC IB B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO IB = IBE- ICBO ? IBE ICE 与 IBE 之比称为共发射极电流放大倍数 集－射极穿透电流, 温度??ICEO? (常用公式) 若IB =0, 则 IC? ICE0 即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。 为什么要研究特性曲线： 1）直观地分析管子的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 IC EB mA ?A V UCE UBE RB IB EC V + + – – – – + + 特点:非线性 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6~0.7V PNP型锗管