直径20奈米矽奈米草在微影图案上之超疏水特性.pdfVIP

行 奈奈 精 類 行 年年 行 奈 參理辰 理 理 理 利 年 年 行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告 計畫名稱 / 直徑 20 奈米矽奈米草在微影圖案上之超疏水特性 計畫編號 NSC 97-2221-E-492-002 執行期間 2008/08/01 ~ 2009/07/31 報告類別 研究成果報告 (精簡版) 計畫類別 一般型研究計畫個別型( ) 計畫主持人：謝健 共同主持人：鄭劭家 目錄 一、前言……………………………………………………………………………………..1 二、研究目的………………………………………………………………………………..3 三、研究方法………………………………………………………………………………..3 四、結果與討論……………………………………………………………………………..3 五、結論……………………………………………………………………………………..6 六、參考文獻………………………………………………………………………………..6 七、研究成果自評…………………………………………………………………………..7 一、前言 材料表面親疏水特性會影響表面清潔，熱傳，流體行為等特性，因此藉由表面親疏 水特性的控制，可設計微流道元件、散熱晶片，並有助於減少表面污染，維持太陽能電 池的效率。決定材料表面親疏水特性有兩個因素，一是表面能量，另一是表面結構。一 般評量表面親疏水特性可藉由接觸角的量測而得，對平坦表面而言，施以含氟的高分子 表面處理，可降低固體氣體界面能量，使接觸角提高至- 120° ，然而欲進一步提高接觸 角，需再利用表面結構輔助。 表面結構對接觸角的影響依表面幾何形態的不同可根據 Wenzel 與 Cassie模型描述， Wenzel 方程式如下： cosθ r cosθ w y 其中cosθ為平坦表面上接觸角的餘弦值，乃依據Young 方程式 求 y cos ( ) / θ − γ γ γ y SV SL LV 得，式中下標 S, V, L分別表示固體，氣體與液體。r為粗糙度因子，為材料表面實際面積 與投影面積的比值， θ則是在粗糙表面的 Wenzel接觸角。Cassie方程式則是如下所示： w θ φ cosθ cos(1 +φ)−cos180 o c r 其中φ為表面固體所佔的面積比例，(1-φ則為表面空氣所佔的面積比例，) cos180°為液體 與空氣的接觸角，θ則是因表面空氣的貢獻而得到的 Cassie接觸角。由式中可知，降低 c 液體與固體的接觸面積，可提高接觸角，當液體固體接觸面積趨近於-