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需要予測 http://www.nistep.go.jp/achiev/ftx/jpn/stfc/stt070j/0701_03_featurearticles/0701fa03/200701_fa03.html 高純度シリコン原料技術の開発動向　河本洋， 奥和田久美 Si結晶中の電子の状態 価電子4個のうち2個の電子が各々２つの??????準位（3s，3p準位）に配置 Si原子の接近につれて3s，3p準位は分裂して??????帯（energy band）を形成 上のエネルギー帯： 伝導帯（conduction band） 下のエネルギー帯： 価電子帯（valence band） または充満帯（fiｌｌed band） 伝導帯と価電子帯の間： 禁制帯（forbidden band） このエネルギー幅を禁制帯幅，エネルギーギャップ （またはバンドギャップ）という． 低温において価電子は価電子帯内に配置されている． 図2-8　Si結晶のエネルギー帯構造（原子1個あたり） 〔孤立原子〕 E g 0 (　 ) 電子数2 準位数3 (　 ) 電子数2 準位数1 3p準位 3s準位 ∞ 電 子 エ ネ ル ギ ? 原子間距離 平衡原子間距離 (0.543nm) ( 　 ) 0電子 2準位 ( 　 ) 4電子 4準位 ( 　 ) 4電子 2準位 金属?半導体?絶縁体 金属