Desmear再生系统设计基本原理.pptVIP

Equipment Technology Depart. COMPEQ COMPEQ Confidential * Desmear 再生系統設計原理 報告人:閻誠麟 Y75 Equipmen Technology 5th Section Equipment Technology Department Nov. 29th, 2001 * Desmear 再生系統設計 Agenda: 1.背景 2.目的 3. 分析 3-1.Desmear目的 3-2.Process 3-3.電解再生反應機制 3-4.電解再生系統設計 4.未來發展方向 5.結論 * 1.背景/2.目的 . CT SAP H-Desmear再生系統由於sludge產生量過多而須增加氧化槽 循環過濾機maintain頻率的困擾 背景: 目的: 1.再生系統設計合理化 2.減低現場maintain困擾 * 3-1分析/ Desmear目的 DESMEAR A.去除鑽孔後的所殘留下SMEAR(高溫促使樹酯超過Tg值形成融熔狀) B.使表面及孔壁粗化,以利於後製程化學銅有更好的附著表面 * 3-1分析/ Desmear目的/Via Line Process etching Bond Laser Drill Image Transfer Pattern Plating 19~21um Laser D 75um ABF 30um Desmear concern Issue: 1.via open 2. Surface roughness for high peel strength Desmear E’less Cu 0.8um * 3-1分析/ Desmear目的Via Open After Copper Plating (No Desmear) After Copper Plating (No Desmear) After Copper Plating (Desmear) After Copper Plating (Desmear) 孔底底銅分離 * 3-1分析/ Desmear目的/Surface roughness Blank (before Desmear) W/L = 0.234 mg/cm2 Peel Strength = 0.94 kg/cm * 3-1分析/ Desmear目的/Station Monitor Etching amount:主要是以產品性賴度為考量依據,一般而言介電材料Tg愈高愈難咬蝕 但也和curing條件有關 Ra,Rz: ABF Ra 0.8+/-0.5um Rz10um Ra=roughness average (3-D) Rz=average maximum heighe of the profile (2-D) Material Tetra ABF Halogen free Tg(0C) 135 165 165 etching amount(mg/cm2) 0.31 0.1~0.3 0.15 Mean line Rp Rv Rz profile Z1 Z2 Zn roughness * 3-2分析/ Desmear Process 膨鬆劑 水洗 除渣劑 水洗 中和劑 水洗 目的: Oxidizer 除膠渣劑是一種鹼性高錳酸鹽溶液,它能打斷樹脂系統中的鍵結,將 已膨鬆軟化的樹脂膠渣予以去除 除渣劑 ? OCH2?CH?CH2O? + 6KMnO4 3K2MnO4 + 3MnO2 + 3CO2 + 3H2O H2C CHCH2 O C CH3 CH3 O CH2 CHCH2 n O C CH3 CH3 O CH2CH CH2 O O OH 高錳酸鹽主要攻擊基 架橋基 架橋基 Typical Epoxy Resin dicy ABF material: Filler + Epoxy Resin Filler: 5 um diameter particle Dicy Difunctional