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六、大功率LED封装的注意事项 整体考虑 根据LED芯片来选用封装的方式和相应的材料 。 LED芯片已倒装好，就必须采用倒装的办法来封装 。 如果是多个芯片集成的封装 ，按介绍方法进行。 整体考虑 工作人员应该在原有设计的基础上进行实际操作。 制作出样品进行测试，然后根据测试的结果进行分析。 这样经过反复试验得出最佳效果。 最后才能确定封装方案。 六、大功率LED封装的注意事项 热沉材料的选择 经济的角度 制造工艺的角度考虑 铜和铝都是最好的热沉材料。 六、大功率LED封装的注意事项 铜、铝及其合金的导热系数 六、大功率LED封装的注意事项 热沉的其它材料 选择银或在铜上镀一层银，这样的导热效果更好。 导热的陶瓷、碳化硅也都可以用做热沉，而且效果也很好。 六、大功率LED封装的注意事项 电极金丝和封装胶 由于大功率LED在通电后会产生较大的热量，并且如果用于封装的胶和金丝的膨胀系数不一样，那么膨胀时就会使金丝拉断或造成焊点接触电阻较大，从而影响了发光器件的质量。 特别应注意的是，封装胶会因温度过高而出现胶体变黄，因此降低了透光度并影响光的输出。 六、大功率LED封装的注意事项 应用大功率LED 安装散热片 六、大功率LED封装的注意事项 安装散热片 六、大功率LED封装的注意事项 七、大功率LED产品实例 大功率LED产品参数 功率：100W 电压：34.0-36.0V 电流：3200mA 色温：5500-6500K 发散全角FWHM：120deg 光通量：5000-6000lm 七、大功率LED产品实例 色温 色温 2.5 大功率LED封装技术 内容 一、引言 二、L型电极的大功率LED芯片的封装 三、V型电极的大功率LED芯片的封装 四、V型电极的LED芯片倒装封装 五、集成LED的封装 六、大功率LED封装的注意事项 七、大功率LED产品实例 一、引言 LED发展方向同LED芯片的发展方向： 大功率 高效率 大功率LED封装关键技术 一、引言 二、L型电极的大功率LED芯片的封装 共晶焊接概念 美国GREE公司的1W大功率芯片（L型电极），它的上下各有一个电极。其碳化硅（SiC）衬底的底层首先镀一层金属，如金锡合金（一般做芯片的厂家已镀好），然后在热沉上也同样镀一层金锡合金。将LED芯片底座上的金属和热沉上的金属熔合在一起 ，共晶焊接。 二、L型电极的大功率LED芯片的封装 共晶焊接封装注意事项 力学：一定要注意当LED芯片与热沉一起加热时，二者接触要好，最好二者之间加有一定压力，而且二者接触面一定要受力均匀，两面平衡。 材料学：控制好金和锡的比例，这样焊接效果才好。 电学：热沉也成为一个电极，接热沉与散热片时要注意导热同时要绝缘。 二、L型电极的大功率LED芯片的封装 共晶点概念 加热温度也称为共晶点。温度的多少要根据金和锡的比例来定： AuSn（金80%，锡20%）：共晶点为282℃，加热时间控制在几秒钟之内。 AuSn（金10%，锡90%）：共晶点为217℃，加热时间控制在几秒钟之内。 AgSn（银3.5%，锡96.5%）：共晶点为232℃，加热时间控制在几秒钟之内。 二、L型电极的大功率LED芯片的封装 三、V型电极的大功率LED芯片的封装 V型电极的特点 电学：其中两个电极的p极和n极都在同一面，这种LED芯片的衬底通常是绝缘体（如Al2O3蓝宝石） 光学：而且在绝缘体的底层外壳上一般镀有一层光反射层，可以使衬底的光反射回来，从而让光线从正面射出，以提高光效。 三、V型电极的大功率LED芯片的封装 V型电极LED封装注意事项 机械：这种封装应在绝缘体下表面用一种导热（绝缘）胶把LED芯片与热沉粘合。 电学：上面把两个电极用金丝焊出。特别要注意大功率LED通过的电流大，1W LED的电流一般为350mA，所以要用粗金丝。不过有时粗金丝不适用于焊线机，也可以并联焊两根金丝，这样使每根金丝通过的电流减少。 三、V型电极的大功率LED芯片的封装 V型电极LED封装注意事项 热学：这种芯片的烘干温度是100~150℃，时间一般是60~90分钟。 光学：发热量比较大，可以在LED芯片上盖一层硅凝胶，而不可用环氧树脂。这样做一方面可防止金丝热胀冷缩与环氧树脂不一致而被拉断；另一方面防止因温度高而使环氧树脂变黄变污，结果透光性能不好。所以在制作白光LED时应用硅凝胶调和荧光粉。如果LED芯片底层已镀上金锡合金，也可用第一种办法来做。 三、V型电极的大功率LED芯片的封装 四、V型电极的LED芯片倒装封装 传统正装的LED 传统正装的LED问题 芯片结构 透明电极层：不可缺少，因为p型GaN掺杂困难 。太薄影响扩散电流，太厚对光的吸收多，金属透明电极要吸收30%~40%的光。 衬底：导热系统为35W/(