半导体数字集成电路测试技术应用概要.pptVIP

测试方法 1、? 串行/静态测试法????实施IOZ测试时，施加VDD，运行将器件管脚预处理到高阻态的向量。DC测试系统（如PMU）依次驱动高电平和低电平到某个待测管脚，测量电流值，然后将测量值与规格书中的边界值相比较，并判断测试通过与否。此过程不断重复直到所有的高阻态管脚均测试完毕。测试时确定VDD、VOZ（voltage applied to the output）施加正确，并检查程序中电流边界设定正确与否；此项测试要求设定电流钳制。??? 与之前的DC类测试相似，串行测试法的优点在于能够独立测试每个管脚，缺点也是测试时间的问题。 2、? 并行测试法??? 一些测试系统拥有并行DC测试的能力，如per pin PMU结构的测试系统，用它们进行IOZ测试则简单的多：施加VDD，运行预处理向量，先向所有的待测管脚同时施加低（或高）电平，测量电流值，并将测量值与规格书定义的测试边界相比较，判断测试通过与否；再同时施加高（或低）电平，重复上一操作。 ??????????? 优缺点相信大家都清楚：节省了测试时间，但是测试系统本身成本高 注：a. 之前提到的集体测试法不能运用于IOZ测试。 ?????? b. 测试前仔细阅读相关文档，确定哪些管脚需要测试。 ?????? c. VDD施加VDDmax ；施加到管脚的电平，高对应VDDmax，低对应0V 阻抗计算??? 前面说过，IOZ测试的实质是测量高阻态下的输出管脚的相关阻抗。由欧姆定律R=V/I可知，图中的最小阻抗为2.625Mohm，当实际阻抗低于此值，测试将会fail. 一般来说，CMOS器件的输出阻抗范围在20M-50Mohm之间，因此高阻态下的输出阻抗会更高，基本上远远高于器件规格书中的定义值。 当测试不通过的情况发生，我们首先要找找非器件的原因：将器件从socket上拿走，运行测试程序空跑一次，测试结果应该为0电流；如果不是，则表明有器件之外的地方消耗了电流，我们就得一步步找出测试硬件上的问题所在并解决它，这和我们之前介绍的电流类测试是一致的。??? ?故障寻找??? 打开datalogger观察IOZ测量结果，测试某个器件后，其测试结果不外乎以下三种情况：??????? 1．? 电流在正常范围，测试通过；??????? 2.? 电流高于上限或低于下限，测试不通过，但是电流在边界附近或在机台量程之内，偏差较小；??????? 3.? 电流高于上限或低于下限，测试不通过，且电流不在边界附近或在机台量程之外，偏差较大。 第四章.DC参数测试- IOS test 输出短路电流（output short circuit current） ?????? 输出短路电流（IOS），顾名思义，就是输出端口处于短路状态时的电流。下面是一款器件的规格书中关于IOS的部分： Parameter Description Test Conditions Min ? Max Units IOS Output Short Circuit Current Vout = 0VVDD = 5.25V *Short only 1 output at a time for no longer than 1 second -85 -30 mA ` ? 测试目的 ?????? IOS测试测量的是，器件的输出管脚输出逻辑1而又有0V电平施加在上面的时候，输出管脚的阻抗。此项测试确保当器件工作在恶劣负载条件下其输出阻抗依然能满足设计要求，并且在输出短路条件下其电流能够控制在预先定义的范围内。这个电流表征器件管脚给一个容性负载充电时可提供的最大电流，并且此电流值可用于计算输出信号的上升时间。 测试方法 ?????? 测试IOS，以VDDmax作为器件的VDD电压。首先对芯片进行预处理，使其待测的管脚均输出逻辑1。然后由DC测试单元（如PMU）施加0V电压到其中的某根单独的输出管脚，接着测量电流并将测量值与器件的规格书相比较，这一过程不断重复直到所有待测管脚测试完毕。器件规格书通常会标识管脚允许短路的最大时间以防止器件过热损毁，具体内容，注意规格书中相关环节中“*”、“Notes”、“Maximum Ratings”等字样所给出的信息。 避免热切换 ?????? IOS测试要求细致的程序规划以避免惹切换。前面说过，器件输出被预处理为逻辑1，器件输出的电压将在VOH和VDD之间。一旦PMU驱动0V电压然后再短接到器件输出上，因为存在电压差，高电流将随之产生，热切换的问题也就随之而来。 ?????? 正确的操作方法是，先设定PMU为电压测量模式，保持0电流，然后连接到待测的输出管脚，测量器件的VOH电压并记录。接着断开连接，设定PMU驱动输出刚才测量到的VOH