引线键合技术发展及失效机理分析-毕业论文(设计).docVIP

引线键合技术发展及键合实效机理分析 摘要：引线键合以工艺简单、成本低廉、适合多种封装形式而在连接方式中占主导地位。对引线键合工艺、材料、设备和超声引线键合机理的研究进展进行了论述与分析，列出了主要的键合工艺参数和优化方法，球键合和楔键合是引线键合的两种基本形式，热压超声波键合工艺因其加热温度低，键合强度高、有利于器件可靠性等优势而取代热压键合和超声波键合成为键合方法的主流，提出了该技术的发展趋势，劈刀设计、键合材料和键合设备的有效集成是获得引线键合完整解决方案的关键。 关键词：引线键合；球键合；楔键合；超声波键合；集成电路 Progress on Technology of Wire Bonding Abstract：Wire Bonding holds the leading position of connection ways because of its simple technique，low cost and variety for different packing forms. Discuss and analyz the research progress of wire bonding process,materials,devices and mechanism of ultrasonic wire bonding.The main process parameters and optimization methods were listed. Ball bonding and Wedge bonding are the two fundamental forms of wire bonding.Ultrasonic/thermosinic bonding became the main trend instead of ultrasonic bonding and themosonic bonding because of its low mentioned. The integration of capillaries design, bonding materials and bonding devices is the key of integrated solution of wire bonding. Key words: Wire bonding;Ball bonding;Wedge bonding;Ultrasonic wire bonding;IC 随着集成电路的发展，先进封装技术不断发展变化以适应各种半导体新工艺和新材料的要求和挑战。半导体封装内部芯片和外部的电气连接、确保芯片和外界之间的输入、输出畅通的重要作用，是整个后续封装过程中的关键。引线键合以工艺实现简单、成本低廉、适用多种封装形式而在连接方式中占主导地位，目前所有封装管脚的90%以上采用引线键合连接。 引线键合是以非常细小的金属引线的两端分别与芯片和管脚键合而形成电气连接。引线键合前，先从金属带材上截取引线框架材料（外引线），用热压法将高纯Si和Ge的半导体元件压在引线框架上所选好的位置，并用导电树脂如（银浆料）在引线框架表面涂上一层或在其局部镀上一层金，然后借助特殊的键合工具用金属丝将半导体元件（电路）与引线框架键合起来，键合后的电路进行保护性树脂封装。 无论是封装行业多年的事实还是权威的预测都表明，引线键合是预见的未来（目前到2020年）仍将是半导体封装尤其是低端封装内部连接的主流方式。基于引线键合工艺的硅片凸点生成可以完成倒装芯片的关键步骤并且具有相对于常规工艺的诸多优势，是引线键合长久生命力和向新连接方式延伸的巨大潜力的有力例证。 引线键合工艺 简介 引线键合 引线键合是芯片和外部封装体之间互连最常见和最有效的连接工艺。 引线键合工艺可分为三种：热压键合，超声波键合与热压超声波键合。 热压键合是引线在热压头的压力下，高温加热（250度）焊丝发生形变，通过对时间、温度和压力的调控进行的键合方法。键合时，被焊接的金属无论是否加热都需施加一定的压力。金属受压后产生一定的塑性变形，而两种金属的原始交界面处几乎接近原子力的范围，两种金属原子产生相互扩散，形成牢固的焊接。 超声波键合不加热（通常是室温），是在施加压力的同时，在被焊接元件之间产生超声频率的弹性振动，破坏被焊件之间界面上的氧化层，并产生热量，使两固态金属牢固键合。这种特殊的固相焊接方法可简单的描述为：在焊接开始时，金属材料在摩擦力作业下发生强烈的塑性流动，为纯净金属表面间的接触创造了条件。而接头区的温度升高以及高频振动，又进一步造成了金属晶格上原子的受激活状态。因此，当有共价键性质的金属原子相互接近到以纳米级的距离时，就有可能通过公用电子形成了原子间的电子桥，即实