模拟电子技术应用第二章常见电子元件.pptVIP

2.5.1 结型场效应管的结构及工作原理 1、结型场效应管的结构及符号 结型场效应管又分为N沟道和P沟道两种类型，下图为N沟道和P沟道结型场效应管的结构示意图及符号。 结型场效应管结构示意及符号 (1)栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 沟道最宽 沟道变窄 沟道消失称为夹断 uGS可以控制导电沟道的宽度。为什么g-s必须加负电压？ UGS（off）夹断电压 2、结型场效应管的工作原理 uDS=0时uGS对导电沟道的控制作用 (2)漏-源电压对漏极电流的影响 uGS＞UGS（off）且不变，VDD增大，iD增大。 预夹断 uGD＝UGS（off） VDD的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS。 场效应管工作在恒流区的条件是什么？ uGDUGS（off） uGDUGS（off） （3）uGS对iD的控制作用 当uDS为一常量时，对应于不同的uGS，就有不同的iD，此时，可以通过改变uGS来控制iD的大小。可见，结型场效应管是一个电压控制器件。 结论：结型场效应管正常工作，应在栅-源之间加反偏电压，在漏源 之间加正向电压形成漏极电流。 g-s电压控制d-s的等效电阻 1、输出特性曲线 预夹断轨迹，uGD＝UGS（off） 可变电阻区 恒 流 区 iD几乎仅决定于uGS 击 穿 区 夹断区（截止区） 夹断电压 IDSS ΔiD 不同型号的管子UGS（off）、IDSS将不同。 中低频跨导： 2.5.2 结型场效应管的特性曲线 2、转移特性曲线 转移特性曲线用来描述uDS取一定值时，iD与uGS间的关系的曲线，它反映了栅源电压uGS对iD的控制作用，可表示为： 结型场效应管的转移特性曲线 在恒流区内转移特性可近似地表示为： （UGS(off)uGS≤0） 2.5.3 增强型MOS管 结型场效应管的输入电阻虽然可达106～109，但在要求输入电阻更高的场合，还是不能满足要求。另外，由于它的输入端完全由PN结担当，因此受温度影响会比较大。 与结型场效应管不同，绝缘栅场效应管的栅极与半导体之间隔有二氧化硅（SiO2）绝缘介质，使栅极处于绝缘状态，因而它的输入电阻可高达1010以上。此外，绝缘栅场效应管制造工艺简单，适合于大规模及超大规模集成。绝缘栅场效应管因制造工业特点更多地被称为MOS管，MOS管又分为增强型和耗尽型两种。 增强型MOS管分为N沟道和P沟道两种。 代表符号中的箭头方向表示由衬底与沟道的PN结方向确定。 1、增强型MOS管的结构及符号 增强型MOS管结构示意图及符号 （a） (b) 2、增强型MOS管的工作原理 （1）uGS对沟道的控制作用 uGS对导电沟道的影响 uGS＜uGS（th），不能形成导电沟道； uGS≥uGS（th），形成导电沟道。 uGS为大于UGS(th)的某一值时uDS对iD的影响 （2）uDS对iD的影响 (b) uDS=uGS-UGS(th) (a) uDSuGS-UGS(th) (c) uDSuGS-UGS(th) 用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么？ 3、增强型MOS管的特性曲线 输出特性曲线也可分为可变电阻区、恒流区和截止区三部分。 在恒流区内，iD与uGS的近似关系式为： (uGSUGS(th)) N沟道增强型MOS管的特性曲线 (a)输出特性 (b)转移特性 2.5.4 耗尽型MOS管 耗尽型MOS管是在增强型MOS管技术的基础上产生的，下图（a）、（b）分别为N沟道耗尽型和P沟道耗尽型MOS管的符号，图（c）为N沟道耗尽型MOS管的结构示意图。 耗尽型MOS管结构示意图及符号 (a) (b) (c)N沟道结构示意图 耗尽型 MOS管 uGS＞0(电场增强，沟道变厚，沟道电阻减小，在同样的漏源电压下，iD增大)； uGS ＜0，电场削弱，沟道变薄，沟道电阻增大，在同样的漏源电压下，iD减小)；当︱uGS ︳增大到能够抵消正离子的电场，反型层消失，iD=0，此时的uGS叫夹断电压uGS（off）； uGS ＝0时均可导通，且与结型场效应管不同，由于SiO2绝缘层的存在，在uGS＞0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。 加正离子 小到一定值才夹断 uGS=0时就存在导电沟道 N沟道耗尽型MOS管的特性曲线  工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性