电磁兼容技术应用概述第一章.ppt

电场屏蔽（静电屏蔽） 所谓电场屏蔽，就是利用处于零电位的金属体，对电场进行“阻隔”屏蔽。 电场屏蔽的特点 电场屏蔽具有“双向”性，既能阻挡外部电场的进入，也能阻挡内部电场的外泄。 屏蔽体要求良好接地（零电位点）。 屏蔽体的厚度没有要求。 要求屏蔽体有良好的导电性和完整性？ 为了保证屏蔽体的零电位，对付高频的电场耦合干扰，必须提高屏蔽体的导电性和完整性。 通风口 显示窗 键盘 指示灯 电缆插座 调节旋钮 电源线 缝隙 在实际的产品装置中，静电屏蔽的完整性受到很大的限制。 “电容耦合干扰”小结 电容耦合干扰是由于一个系统产生的电场进入另一个系统形成的。 特点有四个：与分布电容有关、与（产生）电场（的电压）大小有关、与（电场）电压的频率有关、与系统的对地阻抗有关。 分析和抑制电容耦合干扰直接从其特点下手。 适当改变系统之间的相对位置，减小分布电容是首先需要考虑的措施。 静电屏蔽是抑制电容耦合干扰最常用和最有效的措施。 静电屏蔽的效果取决于：屏蔽体的电位、导电性和完整性。 §5 电磁场（辐射、耦合）干扰 在电感耦合和电容耦合干扰的讨论中，采用集总参数、利用等效电路来进行分析； 进一步深入的分析应该采用电磁场的概念； 电场、磁场的变化相互变化、转换，形成电磁波； 电磁场耦合干扰与电感和电容耦合干扰的区别主要取决于与源之间的距离； 近场和远场 电磁场的特性与源的特性、介质以及与源之间的距离有关； 在源附近（近场），其特性主要取决于源。 在远离源的地方（远场），其特性主要取决于介质。 在近场，主要表现为磁场特性或电场特性，对应于电感耦合干扰和电容耦合干扰。 在远场，则表现为电磁场耦合干扰。 近场和远场的分解一般定义为（λ／2π）， λ 为波长。 近场和远场的具体划分和波长或频率直接相关： 低频噪声，主要表现为近场特性（电感或电容耦合干扰）； 高频噪声，主要表现为远场特性（电磁场耦合干扰； 1MHz噪声－分界点48m；100kHz噪声－分界点478m。 在电磁波传播的路径上，如果存在金属，就会在金属中感应出噪声，从而形成电磁场耦合干扰。 电磁场耦合干扰的抑制 电磁场屏蔽是对付电磁场耦合干扰最主要的方法。 电梯中手机通信出现问题就是电磁场屏蔽的实例。 利用金属材料，对电磁波进行屏蔽，是依靠金属材料对电磁波的反射和吸收实现的。 屏蔽前的场强E1 屏蔽后的场强E2 对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽,电磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量: SE = 20 lg （ E1/ E2 ）dB 电磁场屏蔽原理 H1/E1 H0/E0 电磁场屏蔽的机理 电磁场屏蔽 对电磁波的反射，不要求屏蔽材料必须有一定厚度，只要求交界面上的不连续； 在体内向前传播的过程中，被屏蔽材料所衰减。这种物理过程被称为吸收。 吸收效果与屏蔽体的厚度有关，同时与屏蔽材料的特性有关； 传到材料的另一表面时，会再次形成反射，部分电磁波重新返回屏蔽体内。这种反射在两个金属的交界面上可能有多次的反射。 屏蔽体上的任何孔、洞和缝隙等，都将影响电磁场屏蔽的效果。 “电磁场耦合干扰”小结 由电磁波直接传导，体现了电磁波的远场特性； 主要对距离噪声源“较远”的设备起作用； 电磁场屏蔽是对付电磁场耦合干扰最主要的武器； 电磁场屏蔽依靠金属材料对电磁波的反射和吸收； 电磁场屏蔽的效果与屏蔽材料、厚度、完整性有关； 作 业 1、对五种干扰进行对比。 2、对三种屏蔽技术进行对比。 * 公共阻抗干扰的另一种典型形式 对于电源内部的反馈电路，如果负载较大、负载电流中的脉动较大，而线路又较长，这种设计有什么问题？ 干扰影响反馈 采用独立的反馈信号通道，可以消除公共阻抗干扰的影响。 对于一些应用，尽可能靠近电源是一个不错的选择。 公共阻抗干扰的抑制措施 根据公共阻抗干扰的特点，常采取以下抑制措施： 减小公共阻抗，也即是尽量减小连线的公共阻抗； 避免噪声电流流过公共阻抗； 尽可能减小敏感环节受干扰的程度； 下面简单举例说明 公共阻抗干扰抑制措施之一：PCB设计 80196 电源线 信号线 分清连线性质，合理设计连线的宽度和走向。 PCB板上的电源网线可以大幅度减小公共阻抗干扰 PCB板上的电源网线 电源去耦是电路设计中最常用的电磁兼容措施之一； 特别是对于微机这样的高速电路，电源去耦非常必要； 公共阻抗干扰抑制措施之一：电源去耦 电源线电感 储能电容 此环路的阻抗尽可能小 从另一个角度看电源去耦 高速集成电路芯片有多个电源引脚。 去耦电容就近与电源引脚连接。 采用高频特性好的电容器。电解电容高频特性很差，因此常采用组合方案。 电解电容抑制低频噪声 高频小容量电容抑制高频噪声 提高电源去耦的效果之一 集成电路内部包含多个部分，各部分都需要连接电源，采取多个电源引脚，可以减小电源部分公共阻抗的影响。 就近连接去耦电容是十