半导体物理第1章半导体中电子状态.pptVIP

3 受主杂质 受主能级 第二章半导体中杂质和缺陷 4 浅能级杂质电离能的计算 第二章半导体中杂质和缺陷 第二节 III-V 族化合物中的杂质能级 等电子陷阱 等电子杂质效应 第二章半导体中杂质和缺陷 第三节 缺陷 位错能级 1 点缺陷 弗仑克尔缺陷 肖特基缺陷 反结构缺陷 2 位错 第一章 半导体中的电子状态 单电子近似：假设每个电子都是在周期性排列且固定不动的原子核势场及其它电子的平均势场中运动。 第1节 半导体的晶格结构和结合性质 1金刚石型结构 和共价键 正四面体结构 第一章 半导体中的电子状态 四面体结构 图1.2 共价四面体 金刚石结构晶胞 图1.3 (a)金刚石结构的晶胞 (b)面心立方 2闪锌矿型结构 和混合键 图1.4 GaAs的闪锌矿结构 3 纤锌矿型结构 两套面心的套构形成了闪锌矿结构； 两套六角的套构形成了纤锌矿结构。 每个原子与最近邻的四个原子依然保持 “正四面体”结构。 主要由II和VI族原子构成，它们的大小、电负性差异较大。呈现较强的离子性，如：硫化锌、硫化镉等。 纤锌矿结构 氯化钠型结构 第一章 半导体中的电子状态 第2节 半导体中的电子状态和能带 1 原子的能级和晶体的 能带 电子的共有化运动 2 半导体中电子的状态和能带 布里渊区 第一章 半导体中的电子状态 自由电子能量和动