硅集成的电路工艺——离子注入.pptVIP

天津工业大学 天津工业大学 天津工业大学 快速退火 Rapid Thermal Annealing (RTA) 普通热退火需要经过长时间的高温过程，会导致明显的杂质再分布，还可能造成硅片翘曲变形 快速退火的目的：降低退火温度或缩短退火时间 快速退火手段：脉冲激光；脉冲电子束；扫描电子束等 天津工业大学 小结 离子注入相比于扩散的优缺点 两种碰撞（阻止）模型及其适用情况 注入离子的分布；射程和投影射程的概念；沟道效应的原因及解决方法 离子注入系统的主要构件及其基本原理 注入损伤的形成及影响，级联碰撞 热退火的定义及作用，热退火的机理 快速热退火的优势 天津工业大学 天津工业大学 CompanyLOGO 天津工业大学 Chap.4 离子注入（Ion Implantation） 离子注入掺杂的优、缺点 1 两种碰撞（阻止）模型 2 注入离子的分布（沟道效应） 3 注入损伤及其消除（热退火） 4 5 离子注入系统 天津工业大学 离子注入的优点: 掺杂纯度高，污染小； 掺杂的均匀性和重复性好； 工作温度低，工艺灵活性大； 掺杂深度和掺杂浓度可精确独立地控制； 最大掺杂浓度不受固溶度限制； 低温工艺避免高温引起的热缺陷； 离子注入直进性，横向效应小； 掩蔽膜作为保护膜，污染小； 适合化合物掺杂； 可发展成无掩膜的离子束技术。 天津工业大学 Self-alignment（自对准掺杂） 天津工业