气相沉积技术具体应用.ppt

化学合成反应 化学气相沉积的反应 两种或多种气态反应物在一个热基体上相互反应。 例：用氢气还原卤化物来沉积各种金属和半导体， 选用合适的氢化物、卤化物或金属有机化合物沉积绝缘膜。 制备多晶态和非晶态的沉积层，如二氧化硅、氧化铝、氮化硅、 硼硅玻璃及各种金属氧化物、氮化物和其它元素之间的化合物等。 其代表性的反应体系有： 325?475?C SiH4 + 2O2 ?? SiO2 + 2H2O? 1200?C SiCl4 + 2H2 ?? Si + 4HCl? 450?C Al2(CH3)6 + 12O2 ?? Al2O3 + 9H2O? + 6CO2? 350?900?C 3SiCl4 + 4NH3 ?? Si3N4 + 12HCl? 800?1100?C TiCl4 + N2 + 2H2 ?? TiN + 4HCl? 化学传输反应 化学气相沉积的反应 ? 在源区(温度为T1)发生传输反应(向右进行)，源物质Zr或ZnS与I2作用，生成气态的ZrI2或ZnI2； ? 气态生成物被运输到沉积区之后在沉积区(温度为T2)则发生沉积反应(向左进行)，Zr或ZnS重新沉积出来。 把所有沉积的物质当作源物质(不挥发性物质)，借助于适当气体介质与之反应而形成一种气态化合物，这种气态化合物经化学迁移或物理载带运输到与源区温度不同的沉积区，再发生逆向反应，使得源物质重新沉积出来。 这种方法最早用于稀有金属的提纯。 I2(g) + Zr(s) ZrI2 T1 T2 T1 T2 I2(g) +ZnS(s) ZnI2 + S2 例 真空与真空设备 物理气相沉积 2.1 真空蒸发镀膜原理及其基本过程 2.2 溅射镀膜 2.3 离子镀膜 2.4 离子镀膜 3. 化学气相沉积 3.1 化学气相沉积的一般原理 3.2 化学气相沉积技术 3.3 化学气相沉积技术的应用 气相沉积技术 Spear模型的步骤为： (1) 反应气体被强制导入系统。 (2) 反应气体由扩散和整体流 动(粘滞流动)穿过边界层。 (3) 气体在基体表面吸附。 (4) 吸附物之间的或者吸附物 与气态物质之间的化学反 应。 (5) 吸附物从基体解吸。 (6) 生成气体从边界层到整体 气体的扩散和整体流动 (粘滞流动)。 (7) 将气体从系统中强制排出。 CVD工艺的模型 Spear 提出的CVD反应模型 基体 1 7 4 5 整体气 边界层 界面 ? ? 2 ? ? ? 3 6 x ? CVD反应器系统 开管气流法 冷壁式反应器：只有基体本身才被加热(基体通电加热、感应加热或红外辐射加热等)，因此基体温度最高。 加热器 基体 热壁式开管卧式反应器示意图 热壁式反应器：器壁用直接加热法或其它方式来加热，反应器壁通常是装置中最热的部分(下图)。在管状回转窑中沉积热解碳薄膜电阻就是用热壁式反应器。 这种反应器按加热方式不同可分为热壁式和冷壁式。 特点：反应气体混合物连续补充，同时废弃的反应产物不断排出，即能连续地供气和排气。物料的运输一般是靠外加不参加反应的中性气体来实现的。 由于至少有一种反应产物可以连续地从反应区排出，这就使反应总是处于非平衡状态而有利于形成沉积层。 在绝大多数情况下，开管操作是在一个大气压或稍高于一个大气压下进行的，以使废气从系统中排出。但也可以在减压或真空下连续地或脉冲地抽出副产物。 这种系统有利于沉积层的均匀性，对于薄层沉积也是有益的。 优点：试样容易取出，同一装置可以反复多次使用，沉积工艺条件易于控制，结果容易再现。 若装置设计和加工适当，还可消除水和氧的污染。 开管气流法 闭管法 3 4 1 2 闭管式蒸气传输 反应器示意图 1. 料源 2. 基体 3. 低温加热区 4. 高温加热区 这种反应系统是把一定量的反应物与适当的基体分别放在反应器的两端，管内抽空后充入一定的输运气体，然后密封。再将反应器置于双温区炉内，使反应管内形成一个温度梯度。 由于这种系统的反应器壁要加热，所以通常为热壁式。 由于温度梯度造成的负自由能变化是传输反应的推动力，所以物料从闭管的一端传输到另一端并沉积下来。 CVD反应器系统 闭管反应器的优点是：内容物被空气或大气污染物(水蒸气等)偶然