半导体物理刘恩科第七版复习重点.ppt

爱因斯坦关系式(意义，推导) 从理论上找到扩散系数和迁移率之间的定量关系 迁移率 电场作用下运动的难易程度 扩散系数 存在浓度梯度下载流子运动的难易程度 第六章 p-n结 1、内建电场结果 2、费米能级相等标志了载流子的扩散电流和漂移电流互相抵消 p-n结接触电势差VD VD和p-n结两边的掺杂浓度、温度、材料的禁带宽度有关。 在一定温度下，●突变结两边的掺杂浓度越高，接触电势差VD越大； ●禁带宽度越大，ni越小，接触电势差VD越大； p-n结电流电压特性 正向偏压下p-n结的费米能级 反向偏压下p-n结的费米能级 p-n结隧道效应 原理及描述 重掺杂的p区和n区形成的p-n结称为隧道结 第七章 金属和半导体接触 功函数 电子亲和能 金属和n型半导体接触能带图（WmWs） （a）接触前；（b）间隙很大； （c）紧密接触；（d）忽略间隙 电势降落在空间电荷区和金属半导体表面之间 电子的流向 两种金半接触 欧姆接触 不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子发生显著的变化。 整流接触 模拟题： 一、填空题 (每空1分，共20分) 1、金刚石结构中，每个原子周围都有（ ）最近邻的原子，组成一个（ ）； 2、固体按其导电性可分为（ ）、（ ）和（ ）； 3、在电场强度不是太大时，半导体的电导率为（ ）； 二、选择题： 1、在某半导体掺入硼的浓度为1014cm-3, 磷为1015 cm-3，则该半导体为（　B　）半导体；其有效杂质浓度约为（ E ）。 A. 本征， B. n型， C. p型， D. 1.1×1015cm-3, E. 9×1014cm-3 2、 当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积为（ B ），并且该乘积和（E、F ）有关，而与（ C、D ）无关。 A、变化量； B、常数； C、杂质浓度； D、杂质类型； E、禁带宽度； F、温度 3、在一定温度下，对一非简并n型半导体材料，减少掺杂浓度，会使得（ C ）靠近中间能级Ei； 如果增加掺杂浓度，有可能使得（ C ）进入（ A ），实现重掺杂成为简并半导体。 A、Ec； B、Ev； C、EF； D、Eg； E、Ei。 三、简答题： 1、用能带图分别描述直接复合、间接复合过程。 2、试画出中等掺杂的Si的电阻率随温度变化的曲线，并分析解释各段对应的原因和特点。 3、分别画出导体、半导体、绝缘体的能带图示意图。 4、什么叫浅能级杂质？ 四、计算题： 1、室温下Ge中掺入锑的浓度为1014cm-3，设杂质全电离，且μn=2600cm2/Vs，μp=1300cm2/Vs，已知本征载流子浓度ni=2.5×1013cm-3，试求： （1）室温下电子和空穴浓度； （2）室温下该材料的电阻率。 掺杂浓度为ND=1016cm-3的n型单晶硅材料和金属Au接触，忽略表面态的影响，已知：WAu=4.20eV, χn=3.0eV, Nc=1019cm-3,ln103=6.9 在室温下kT=0.026eV, 半导体介电常数εr=12, ε0=8.854×10-12 F/m，q=1.6×10-19 库，试计算： （1）半导体的功函数； (2) 在零偏压时，半导体表面的势垒高度； (3) 半导体表面的势垒宽度。 在一个均匀的n型半导体的表面的一点注入少数载流子空穴。在样品上施加一个50V/cm的电场，在电场力的作用下这些少数载流子在100μs的时间内移动了1cm，求少数载流子的漂移速率、迁移率和扩散系数。（kT=0.026eV） 。 That is all! Thanks! Have good luck evryone! 非平衡多数载流子，非平衡少数载流子，通常所说的非平衡载流子指非平衡少数载流子 典型的陷阱，尽管浓度较小，仍可以使陷阱中的非平衡载流子远远超过导带和价带中的非平衡载流子。 杂质能级与平衡时费米能级重合时，最有利于陷阱作用。 陷阱效应的存在大大增长了从非平衡态恢复到平衡态的驰豫时间。 扩散是一与浓度有关的过程 空穴扩散系数 空穴扩散系数 空穴扩散系数 空穴扩散系数 空穴扩散系数：反映非平衡少数载流子扩散本领的大小。 爱因斯坦关系式不但可用于平衡载流子，也用于非平衡载流子，表明了非简并情况下载流子迁移率和扩散系数之间的关系 复习课 复习课 2007.11.1 半导体