半导体异质结中二维电子气与调制掺杂器件.pptVIP

半导体异质结中二维电子气与调制掺杂器件.ppt

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Fermi level Staircase of Landau levels of the first subband Staircase of Landau levels of the second subband SdH SdH MIS Periodic alignment Rxx of the 2DEG in an Al0.11Ga0.89N/GaN heterostructure as a function of B at 2 K The fast Fourier transform spectra of the SdH oscillations Two SdH frequencies 114 T and 109 T are obtained. We obtain the zero-field spin splitting energy to be 2.5 meV, and they are almost constant in the measured temperature range. 2DEG塞曼分裂 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 100: 073704, 2006 Spin splitting energy of the 2DEG as a function of magnetic field. Rxx of the 2DEG in two AlxGa1-xN/GaN heterostructures as a function of B Magnetophonon Two oscillations with close amplitudes and frequencies. Two oscillations: SdH+SdH SdH+MIS SdH: initial phase π MIS: initial phase 0 cosθ+cosφ=2cos[(θ+φ)/2]·cos[(θ-φ)/2] cosθ-cosφ=-2sin[(θ+φ)/2]·sin[(θ-φ)/2] ν= 1, 2, 3, … ν= 1/2, 3/2, 5/2, … Spin splitting MIS B (T) 6.1 9.4 6.1 9.4 ν 2.5 1.5 3 2 Energy(meV) 8.2 7.6 10 9.9 The zero-field spin splitting energy obtained by Lo et al. is 9.0 meV 光照对异质界面子能带结构的影响 ? ? Illumination NO YES n1(1013cm-2) n2(1012cm-2) EF-E1(meV) EF-E2(meV) E2-E1(meV) 1.01 1.7 105 18 87 1.01 2.4 105 25 80 1 范德堡方法(van der Pauw) 样品制备: semiconductor 欧姆接触 欧姆接触 电极制作: 测量电路 The van der Pauw configuration is shown for a sample with arbitrary shape. The configurations are for Resistivity (b) Hall-effect measurements. (5.41) (5.42) (5.43) 2 标准的霍尔桥样品 Rxy Rxx Ixx B-field B-field Rxy (5.48) (5.47) (5.49) (5.50) 1978年 Klaus von Klitzing 和Th. Englert 发现霍尔平台, 但直到1980年, 才注意到霍尔平台的量子化单位 1985年, Klaus von Klitzing 获诺贝尔物理奖. (二)量子霍尔效应 观测量子霍尔效应示意图(与经典Hall效应相同):固定B,改变栅电压以改变载流子数目,观察霍尔电压VH和栅电压VL的变化 * 霍尔电压呈现平台的地 方,纵向电压VL为零? 纵向电阻为零! ? 几种样品都有同样的 结果(外型尺寸、载 流子类型、能带结 构,…),这是一个 普适现象 应用: 1. 1990年起, 国际电阻标准为: 精度 2. 精细结构常数 精度 5.5 二维电子气低温磁输运测量研究 实验 3. 磁电阻测量用范德堡和标准法进行,测量温度在1.4 K到25 K之间,磁场从0 T到13 T。 1. 用MOCVD方法制备了AlGaN/GaN异质结。 2. 欧姆接触:Au/Ni

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