辽宁科技大学材料科学基础纯金属凝固.pptVIP

第三章 纯金属的凝固;金属材料的加工、制备过程中一个重要的途径是熔炼和凝固，几乎所有的金属制品都必须经过金属的熔炼和凝固过程。通过熔炼得到符合成分要求的液态金属，然后浇注在铸型中，凝固后获得铸锭或成型的铸件，铸锭再经过冷热变形以制成各种型材、棒材、板材和线材。;凝固：物质由液态冷却转变为固态的过程； 有些材料由液体冷却到某一温度时变成固体，其流动性及物理性能发生突然变化，凝固后的固体是晶体——结晶（金属）；结晶是铸锭、铸件、金属焊接生产的主要过程。 另外有些材料的液体，在冷却过程中是逐渐变硬的，它的物理性质也不会发生突然变化，固化后的物质一般是非晶体——玻璃、聚乙烯。; 4.1 结晶的过冷现象; ;金属的Tn总低于Tm这种现象，叫过冷现象。; GL，GS随T↑而↓，但GL↓GS ↓，相交，交点对应的温度就是Tm。 ; 讨论: 当T=Tm时，GL=GS ，动态平衡，不熔化也 不结晶； 当TTm时，GLGS ，L稳定，发生熔化 ； 当TTm时，GLGS ，S稳定， 发生结晶。; 如图所示，液态金属的结构介于气体（短程无序）和晶体（长程有序）之间，即长程无序、短程有序。液态金属中存在许多微小的规则排列的原子集团，称为“近程规则排列”。; 每一瞬间都出现大量尺寸不同的结构起伏，所以过冷液态中的结构起伏，是固态晶核的胚芽，称为晶胚。晶胚达到一定尺寸，能稳定成长而不在消失，称为晶核。;4.4 纯金属的结晶过程;;1. 均匀形核; ΔG = πr3ΔGV+ 4πr2σ; 可见，ΔG随r的变化曲线有一最大值，用ΔG*表示。与ΔG*相对应的晶胚半径称为临界晶核半径，用r*表示。ΔG = 0 的晶核半径用r0表示。 ;分析ΔG — r 曲线： ; 3）r = r* 的晶胚 长大与消失的趋势相等，这种晶胚称为临界晶核。r* 为临界晶核半径。 可见，在过冷液体中，不是所有的晶胚都能成为稳定晶核，只有达到临界半径的晶胚才可能成为晶核。;因为当半径为r* 时，ΔG* 具有最大值 所以 有; ;将ΔGV代入r* 中得： ;两条曲线的交点所对应的过冷度ΔT*为临界过??度。（结晶可能开始进行的最小过冷度）。大小： ΔT* = 0.2Tm （K）;临界晶核的形核功;（3）形核功;可见：形成临界晶核时，体积自由能ΔGVL-S减小只能补偿2/3表面能ΔGA的增加量，还有1/3的表面能必须由系统的能量起伏来提供。;; N1 — 为受形核功影响的形核率因子。 随T增加，ΔT减小，ΔG*增大，N1降低。 N2 —受原子扩散能力影响的形核率因子。 随T增加,原子扩散能力增强，N2增大。;对纯金属，均匀形核的形核率与ΔT的关系见下图。;2. 非均匀形核;;吉布斯自由能变化为： ΔG=V?ΔGV +A?σ 假设在平面基底（W）上形成球冠晶核α,晶核形成时，增加的表面能为： 其中 分别为晶核与液相、晶核与基底、液相与基底间的比表面能。 ;准备工作： 球冠体积：Vα= πr3（2–3cosθ + cos3θ） 晶核与液体的接触面积S1 ：AαL = 2πr2（1-cosθ） 晶核与杂质的接触面积S2：AαW = πr2 sin2θ ; = πr3(2-3cosθ+cos3θ)ΔGV+πr2σαL(2-3cosθ + cos3θ);（2）求ΔG*非 = ？;;影响非均匀形核的因素（降低界面能）;（1）非均匀形核需较小的过冷度,相差10倍。 （2）随着过冷度的增加，形核速度由低向高的过渡平缓,不象均匀形核时那样有突增高的现象。 （3）随着过冷度增加形核速度达到最大值，曲线就下降并且中断（不需深度过冷）。 ;所以，ΔG*非 ΔG*，即非均匀形核所需的ΔG*非总是小于均匀形核的ΔG*, 表明基底总会促进晶核的形成。若θ减小，非均匀形核越容易，那么，影响θ角的因素是什么呢？;;Zr能促进Mg的非均匀形核，两者都是密排六方，而且点阵常数也相近， Mg a=0.3202nm, c=0.5199nm Zr a=0.322nm, c=0.5123nm WC为扁平六方结构，Au为面心立方结构。面心结构的{111}晶面与六方结构的(0001)晶面的原子排列情况完全相同，而且Au与WC在此二面上的原子间距也非常相近, Au：a＝0.2884nm, WC：a=0.2